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公开(公告)号：CN103151710B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110401751.0
申请日：2011-12-06
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明涉及半导体光电子材料与器件领域，公开了一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法，包括步骤：S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在所述GaAs缓冲层的顶部生长高应变阱层，生长过程中通入B源形成含B高应变阱层；S3、在所述含B高应变阱层上生长GaAs垒层或应变补偿垒层，形成GaAs基含B高应变量子阱。本发明还公开了一种GaAs基含B高应变量子阱以及一种边发射半导体激光器。本发明通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中补偿In、Sb并入GaAs导致的晶格常数变大，从而实现对晶格失配度的调控；通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中降低高应变InGaAs或GaAsSb的表面能，从而进一步拓展InGaAs/GaAs和GaAsSb/GaAs高应变量子阱的发光波长；通过对含B高应变阱层进行应变补偿，从而提高量子阱的光学质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106982142B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201710241170.2
申请日：2017-04-13
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04L12/24
Abstract: 本发明实施例提供了一种确定拓扑网络中关键节点的方法及装置，方法包括：初始化拓扑网络中各节点的参数值；将与第一节点连接的度值为1的各节点合并至该第一节点，获得第二节点,并更新第二节点的参数值，直至当前拓扑网络中不存在度值为1的节点；将包含两个节点的节点组确定为当前节点组；合并该当前节点组中的节点，获得第三节点并更新第三节点的参数值；在当前节点组中的节点数量达到预设阈值时，将当前拓扑网络中第一参数值最大的预设数量个节点确定为关键节点；未达到时，将比当前节点组多一个节点的节点组确定为当前节点组，执行合并节点组的步骤。应用本发明实施例，可以更加准确的确定出拓扑网络中的关键节点。
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公开(公告)号：CN103199438B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210000830.5
申请日：2012-01-04
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基多层自组织量子点结构，涉及低维半导体量子点材料和结构的可控性生长技术领域，该结构包括：衬底、位于所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的N层量子点层及位于所述N层量子点层之上的帽层，所述每两层量子点层之间设有间隔层，其特征在于，至少有一组相邻两层量子点层之间的间隔层为两层，两层间隔层之间还设有应变补偿层。还公开了一种制备上述GaAs基多层自组织量子点结构的方法。本发明消除了多层量子点之间的应变积累，从而有效地减小了各层量子点间的相互影响，解决了由于应变积累导致的上层量子点变大的问题，改善了多层量子点的均匀性，同时还提高了多层量子点结构的周期数及模式增益。
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公开(公告)号：CN103199438A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210000830.5
申请日：2012-01-04
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基多层自组织量子点结构，涉及低维半导体量子点材料和结构的可控性生长技术领域，该结构包括：衬底、位于所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的N层量子点层及位于所述N层量子点层之上的帽层，所述每两层量子点层之间设有间隔层，其特征在于，至少有一组相邻两层量子点层之间的间隔层为两层，两层间隔层之间还设有应变补偿层。还公开了一种制备上述GaAs基多层自组织量子点结构的方法。本发明消除了多层量子点之间的应变积累，从而有效地减小了各层量子点间的相互影响，解决了由于应变积累导致的上层量子点变大的问题，改善了多层量子点的均匀性，同时还提高了多层量子点结构的周期数及模式增益。
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公开(公告)号：CN103151710A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110401751.0
申请日：2011-12-06
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明涉及半导体光电子材料与器件领域，公开了一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法，包括步骤：S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在所述GaAs缓冲层的顶部生长高应变阱层，生长过程中通入B源形成含B高应变阱层；S3、在所述含B高应变阱层上生长GaAs垒层或应变补偿垒层，形成GaAs基含B高应变量子阱。本发明还公开了一种GaAs基含B高应变量子阱以及一种边发射半导体激光器。本发明通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中补偿In、Sb并入GaAs导致的晶格常数变大，从而实现对晶格失配度的调控；通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中降低高应变InGaAs或GaAsSb的表面能，从而进一步拓展InGaAs/GaAs和GaAsSb/GaAs高应变量子阱的发光波长；通过对含B高应变阱层进行应变补偿，从而提高量子阱的光学质量。
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公开(公告)号：CN106982142A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710241170.2
申请日：2017-04-13
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04L12/24
Abstract: 本发明实施例提供了一种确定拓扑网络中关键节点的方法及装置，方法包括：初始化拓扑网络中各节点的参数值；将与第一节点连接的度值为1的各节点合并至该第一节点，获得第二节点,并更新第二节点的参数值，直至当前拓扑网络中不存在度值为1的节点；将包含两个节点的节点组确定为当前节点组；合并该当前节点组中的节点，获得第三节点并更新第三节点的参数值；在当前节点组中的节点数量达到预设阈值时，将当前拓扑网络中第一参数值最大的预设数量个节点确定为关键节点；未达到时，将比当前节点组多一个节点的节点组确定为当前节点组，执行合并节点组的步骤。应用本发明实施例，可以更加准确的确定出拓扑网络中的关键节点。
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