基于并联不对称马赫增德干涉仪的带内光信噪比监测法

    公开(公告)号:CN105227233B

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201410240090.1

    申请日:2014-05-30

    CPC classification number: H04B10/07953

    Abstract: 本发明涉及光通信技术领域,具体为一种基于并联不对称马赫增德干涉仪的带内光信噪比监测法。本发明提出一种新的结构,所述结构由一对平行的有着不同光延时值的马赫增德干涉仪组成,实现带内光信噪比监测。本发明保持了基于马赫增德干涉仪的光信噪比监测的优点,即不受色散、偏振模色散和偏振噪声的影响,因此本方案在未来高速光网络应用中易于实现。本发明继承了参考文献[13]中的优点,即不需要去掉噪声来测量信号的相干特性。对比于[13],通过仿真验证,本发明能通过半导体器件实现集成性,具有巨大的实际应用潜力。本发明公布了一种新型的用并联两个不对称马赫增德干涉仪制作半导体集成器件来监测带内光信噪比的方法。仿真结果显示能在误差小于±0.5dB范围内测量不同码型从10到28dB的光信噪比值。

    基于并联不对称马赫增德干涉仪的带内光信噪比监测法

    公开(公告)号:CN105227233A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201410240090.1

    申请日:2014-05-30

    CPC classification number: H04B10/07953

    Abstract: 本发明涉及光通信技术领域,具体为一种基于并联不对称马赫增德干涉仪的带内光信噪比监测法。本发明提出一种新的结构,所述结构由一对平行的有着不同光延时值的马赫增德干涉仪组成,实现带内光信噪比监测。本发明保持了基于马赫增德干涉仪的光信噪比监测的优点,即不受色散、偏振模色散和偏振噪声的影响,因此本方案在未来高速光网络应用中易于实现。本发明继承了参考文献[13]中的优点,即不需要去掉噪声来测量信号的相干特性。对比于[13],通过仿真验证,本发明能通过半导体器件实现集成性,具有巨大的实际应用潜力。本发明公布了一种新型的用并联两个不对称马赫增德干涉仪制作半导体集成器件来监测带内光信噪比的方法。仿真结果显示能在误差小于±0.5dB范围内测量不同码型从10到28dB的光信噪比值。

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