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公开(公告)号：CN109470652A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811244602.6
申请日：2018-10-24
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明涉及一种基于Fano谐振的氮化硅(SiNx)材料制作的椭圆空气孔部分刻蚀型二维光子晶体传感器设计，属于光子晶体传感器技术领域。本发明在传统椭圆空气孔全刻蚀型二维光子晶体结构基础上进行结构改良从而提高传感器的性能。具体而言，将椭圆空气孔全穿透的空气孔结构调整为部分深度刻蚀的部分穿透结构，通过调整光源入射方向从与光子晶体板平行到垂直，从而实现了对品质因子以及灵敏度的提高。该光子晶体传感器的尺寸大小较为灵活，可以根据实际需要进行调整制作。而且本设计采用氮化硅作为结构材料，提高了结构强度，部分刻蚀的制作工艺也减少了刻蚀剂使用量避免污染。本发明可以用于液体环境下的折射率传感领域。
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