公开(公告)号：CN115579417A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211399048.5

申请日：2022-11-09

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 杨雷静 ,  王孟演 ,  忻向军 ,  张琦 ,  饶岚 ,  王拥军 ,  田清华 ,  田凤

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种基于trans‑diode模式的薄膜探测器及制备方法，包括：第一衬底层；第二衬底层；薄膜层；源电极；漏电极；介质层和栅电极。第二衬底层设置在第一衬底层上方；薄膜层设置在第二衬底层上方；源电极和漏电极设置在薄膜层上方，与薄膜层实现肖特基接触或欧姆接触；在源电极和漏电极之间的薄膜层中形成导电沟道；介质层设置在源电极、导电沟道和漏电极上方；栅电极设置在介质层和源电极上方，栅电极和源电极导通。在基于本发明提供的光电探测器结构下，源电极和薄膜层之间形成固定的肖特基势垒，有效抑制暗电流，同时具备类似二极管的整流特性，极大提升光电探测性能和稳定性。