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发明公开
单行载流子光电探测器芯片审中-实审

公开(公告)号：CN119092583A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202410968392.4

申请日：2024-07-18

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 刘凯 , 徐建波 , 董晓雯 , 段晓峰 , 黄永清 , 王琦 , 任晓敏 , 蔡世伟

IPC: H01L31/101 , H01L31/0352

Abstract: 本发明提供一种单行载流子光电探测器芯片，涉及半导体光电器件技术领域，该单行载流子光电探测器芯片包括：自上而下依次排列的P型电极接触层、P型电子阻挡层、光吸收层、N型崖层、P型电场调控层、非特意掺杂收集层和N型电极接触层；其中，P型电场调控层的掺杂浓度和厚度被配置为使得非特意掺杂收集层的电场平坦且维持在发生峰值速度对应的电场附近；非特意掺杂收集层的厚度被配置为使得结电容降低。本发明可以同时提高单行载流子光电探测器芯片的高速响应特性和高饱和输出性能。

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