公开(公告)号：CN115377631B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202211131029.4

申请日：2022-09-16

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 邓中亮 ,  周嘉莉 ,  杨福兴 ,  邓琨 ,  王钰程 ,  赖承祺

IPC: H01P1/10 ,  H01H59/00

Abstract: 本发明提供一种射频MEMS开关，该开关包括：衬底；共面波导传输线，形成于所述衬底上，用于传输射频信号，并作为开关结构的下极板；共面波导接地结构，形成于所述衬底上，以与所述共面波导传输线组成共面波导结构，用于射频信号的接地；开关金属梁，其横跨在所述共面波导传输线上方；介质层，置于所述开关金属梁和共面波导传输线之间，用于与开关金属梁和共面波导传输线形成电容结构；凹槽结构，其位于所述开关金属梁两侧的共面波导传输线内用于实现开关阻抗匹配；以及直流馈电结构，其用于为所述开关金属梁引入直流偏置电压。

公开(公告)号：CN115377631A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211131029.4

申请日：2022-09-16

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 邓中亮 ,  周嘉莉 ,  杨福兴 ,  邓琨 ,  王钰程 ,  赖承祺

IPC: H01P1/10 ,  H01H59/00

Abstract: 本发明提供一种射频MEMS开关，该开关包括：衬底；共面波导传输线，形成于所述衬底上，用于传输射频信号，并作为开关结构的下极板；共面波导接地结构，形成于所述衬底上，以与所述共面波导传输线组成共面波导结构，用于射频信号的接地；开关金属梁，其横跨在所述共面波导传输线上方；介质层，置于所述开关金属梁和共面波导传输线之间，用于与开关金属梁和共面波导传输线形成电容结构；凹槽结构，其位于所述开关金属梁两侧的共面波导传输线内用于实现开关阻抗匹配；以及直流馈电结构，其用于为所述开关金属梁引入直流偏置电压。