公开(公告)号：CN116768622A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310793091.8

申请日：2023-06-30

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 逯景桐 ,  毕科 ,  李昭 ,  许建春 ,  冯遵鹏

IPC: C04B35/493 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明涉及高性能锆钛酸铅基压电陶瓷及其制备方法，具体涉及通过固相烧结工艺制备不同质量分数MnCO3掺杂的(Pb0.92Sr0.08)(Zr0.533Ti0.443Nb0.024)O3(PSZTN‑xMn)压电陶瓷的方法，属功能陶瓷领域。通过固相烧结工艺制备了不同质量分数MnCO3掺杂的PSZTN‑xMn压电陶瓷，发现在一定掺杂范围内，Mn离子促进了PSZTN压电陶瓷中晶粒的生长，并且产生了显著的硬化效应，而压电响应仅有轻微损失，最终在MnCO3掺杂量为0.4～0.5wt.％的大晶粒PSZTN陶瓷样品中实现了高d33和高Qm的性能组合：d33＝510～460pC/N，Qm＝614～750，kp＝0.63～0.59，tanδ＝0.002～0.004，Tc＝278℃。该工作成功实现了PZT基压电陶瓷综合性能的突破，证明了通过晶粒尺寸调控来协同优化压电陶瓷综合性能是一种行之有效的策略，为优化其他种类压电陶瓷的性能提供了一个简单有效的方法。