公开(公告)号：CN108727023A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810756601.3

申请日：2018-07-11

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 符秀丽 ,  任俊卿 ,  彭志坚

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种钼酸铝基微波介质复合陶瓷及其制备方法，属于高技术功能陶瓷及其应用领域。本发明提出的钼酸铝基微波介质复合陶瓷是以Al2Mo3O12为基质，以二氧化钛、钛酸钙、钛酸锶、钛酸钐钠、钛酸锶钙中的一种或多种为添加剂，经高温烧结复合而成。本发明通过两步热处理方法获得所述钼酸铝基微波介质复合陶瓷，即首先以Al2O3、MoO3粉体为原材料高温合成Al2Mo3O12前驱体，然后以所合成的Al2Mo3O12前驱体为基质，加入所述添加剂，经高温烧结后最终获得了所述钼酸铝基微波介质复合陶瓷。本发明制备的钼酸铝基微波介质复合陶瓷致密度高、晶粒大小均匀且可控、烧结温度低、介电常数小、品质因数高、频率温度系数近零，特别适合用作低温共烧技术中的极低损耗材料。

公开(公告)号：CN110818413A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911182396.5

申请日：2019-11-27

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 符秀丽 ,  任俊卿 ,  彭志坚

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种极低温烧结的钼酸铝基微波介质复合陶瓷及其制备方法，属于高技术功能陶瓷及其应用领域。本发明所述钼酸铝基微波介质复合陶瓷由钼酸铝和钼酸铋两相组成，二者组分稳定无其他杂相存在，均一性和稳定性好。本发明通过两步热处理方法制备所述钼酸铝基微波介质复合陶瓷，首先以高纯氧化铝、氧化钼粉体为原材料，合成钼酸铝前驱体；然后，以钼酸铝为基质相，氧化铋和钼酸铋之一种或者两种为烧结助剂，经球磨混料后进行烧结，最终获得了所述极低温烧结的钼酸铝基微波介质复合陶瓷。本发明产品具有烧结温度极低、介电常数低、品质因数高且且与铝电极共烧相互之间不会发生化学反应等特点，特别适合用作ULTCC技术中的极低损耗材料。