Patent search ap:("北京超弦存储器研究院") AND inv:"李相惇" Page 1

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发明公开
存储器及其制备方法、电子设备审中-实审

公开(公告)号：CN119155995A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202310717349.6

申请日：2023-06-16

Applicant: 北京超弦存储器研究院

Inventor： 王文奇 , 李相惇 , 康卜文

IPC: H10B12/00

Abstract: 本申请涉及一种存储器及其制备方法、电子设备。该存储器包括多个有源柱，于衬底上沿第一方向排布呈行，且沿第二方向排布呈列；所述第一方向与所述第二方向相交；多个接触结构，分别设置于对应所述有源柱的顶部；其中，所述接触结构背离所述有源柱的顶面具有存储节点接触区；位于同一行且相邻的所述接触结构的所述存储节点接触区在所述第一方向和/或所述第二方向上错位排布。该存储器占据面积较小，能实现较高的存储密度。

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