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公开(公告)号：CN114613400A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210227460.2
申请日：2022-03-08
Applicant: 北京航空航天大学 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射磁性存储单元、存储器及设备，所述单元包括第一开关元件、第一隔离单元、第二开关元件、第二隔离单元和磁性存储器；所述磁性存储器包括自旋轨道矩层及设于所述自旋轨道矩层上的磁隧道结；所述第一开关元件与所述自旋轨道矩层的写入信号输入端和存储阵列位线分别连接，所述第一隔离单元与所述自旋轨道矩层的写入信号输出端和存储阵列源线分别连接；所述第二开关元件的一端通过所述第二隔离单元与所述磁隧道结的顶端连接，另一端与所述存储阵列位线连接，所述第二隔离单元为导通状态，本发明可提高磁性存储器件的抗辐射性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN118401012A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410490573.0
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本申请提供了一种复用磁性存储装置及其应用方法，复用磁性存储装置包括阵列排布的多个磁性存储单元；所述磁性存储单元包括自旋轨道矩层及设置在所述自旋轨道矩层上的多对互补磁隧道结，其中，每对互补磁隧道结包括存储阻态相反的两个磁隧道结；进一步包括比较电路，所述比较电路用于比较两组所述互补磁隧道结的物理不可克隆函数得到响应信号，每组互补磁隧道结包括至少一个所述磁性存储单元中的至少一对互补磁隧道结。本申请可提高CRP量且降低CRP读取电路的要求。
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公开(公告)号：CN113451505B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202110210410.9
申请日：2021-02-25
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供了一种磁性随机存储单元、存储器及设备，包括自旋轨道耦合层、设于所述自旋轨道耦合层上的至少一个磁隧道结以及外加磁场，所述磁隧道结自由层的磁矩受到类场矩的作用；当向所述自旋轨道耦合层输入第一自旋轨道矩电流时，所述磁隧道结的阻态发生改变；当向所述自旋轨道耦合层输入第二自旋轨道矩电流时，所述磁隧道结的阻态与自旋轨道矩电流的方向对应，所述第一自旋轨道矩电流的电流密度小于所述第二自旋轨道矩电流，本发明可通过结合外加磁场和类场矩对自由层磁矩的作用，使磁隧道结可以在不同自旋轨道矩电流输入条件下分别实现单极性翻转和双极性翻转。
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公开(公告)号：CN116096212A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310061173.3
申请日：2023-01-20
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供了一种多比特磁性存储单元的制作方法、单元及存储器，所述方法包括：形成自旋轨道矩层；在所述自旋轨道矩层上形成至少一个磁隧道结和至少一个磁性体，所述磁隧道结用于存储数据，所述磁性体用于为所述磁隧道结提供漏磁场，使得磁隧道结的不对称性增强，本发明可使读取裕度增加并降低功耗。
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公开(公告)号：CN113451502B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202011606419.3
申请日：2020-12-28
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供了一种多功能磁性随机存储单元、方法、存储器及设备，所述存储单元包括自旋轨道耦合层、至少一个磁隧道结以及VCMA调控模块，所述至少一个磁隧道结的自由层受到DMI效应作用；所述VCMA调控模块用于通过输入VCMA电压使所述磁隧道结处于第一垂直各向异性状态或第二垂直各向异性状态；当所述磁隧道结处于第一垂直各向异性状态时，向自旋轨道耦合层输入第一电流，所述磁隧道结的阻态改变；当所述磁隧道结处于第二垂直各向异性状态时，向自旋轨道耦合层输入第二电流，所述磁隧道结形成随机阻态，本发明可在无外加磁场条件下实现随机数生成和数据存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113452324A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202011136345.1
申请日：2020-10-22
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供一种自旋纳米振荡器，依次包括：强自旋轨道耦合层、第一自由层、探测器的第一势垒层以及探测器的参考层，自旋轨道矩电流通过所述强自旋轨道耦合层输入，在所述强自旋轨道耦合层与所述第一自由层之间的界面交互作用的辅助下，诱导所述第一自由层磁矩发生进动，引发磁畴壁周期性振荡，所述探测器检测磁矩变化并通过所述探测器输出周期性信号，读写路径分离，防止击穿。
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公开(公告)号：CN113380287A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202010114888.7
申请日：2020-02-25
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供了一种磁性存储单元结构及其数据写入方法，磁性存储单元结构包括强自旋轨道耦合层以及设于所述强自旋轨道耦合层上的磁隧道结，强自旋轨道耦合层包括形成预设夹角的第一路径和第二路径，所述第一路径和所述第二路径分别包括设于所述磁隧道结两侧的两个输入端，所述方法包括：通过所述第一路径或第二路径的两个输入端中的其中一个向所述强自旋轨道耦合层输入第一段电流；通过与所述第一段电流不同的路径向所述强自旋轨道耦合层输入预设时间长度的第二段电流以使所述自由层的磁矩发生翻转，其中，输入所述第二段电流的输入端根据所述第一段电流的输入端、待写入数据和所述参考层的磁矩方向确定，本发明可保证磁隧道结磁矩的确定性翻转。
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公开(公告)号：CN113778336B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202111050031.4
申请日：2021-09-08
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器及其数据处理方法，所述非易失性存储器包括控制器、译码器和存储器阵列，其中：控制器分别与所述译码器和所述存储器阵列相连；存储器阵列包括真随机数发生单元和物理不可克隆函数单元，真随机数发生单元用于产生随机数序列，控制器根据所述随机数序列和预设算法生成随机字符串，并将生成的随机字符串存储到物理不可克隆函数单元形成物理不可克隆函数。所述数据处理方法应用于上述非易失性存储器。本发明实施例提供的非易失性存储器及其数据处理方法，利用存储器阵列实现随机字符串的生成和存储，从而实现PUF与存储器的复用以及PUF的刷新，无需使用外部独立的TRNG，减少了硬件安全电路的体积。
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公开(公告)号：CN116096211A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310061098.0
申请日：2023-01-20
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本申请提供了一种磁性存储单元及计算机设备，所述磁性存储单元包括自旋轨道耦合层以及设于所述自旋轨道耦合层上的多个磁隧道结；所述自旋轨道耦合层包括至少三个朝向不同方向设置的用于分别输入自旋轨道矩电流的支路；至少两个所述支路的每个支路上设置有至少一个磁隧道结，且所述多个磁隧道结的易磁方向相同。本申请可实现多个磁隧道结的一次性数据写入，并且降低多磁隧道结的磁性存储单元的工艺复杂度，优化数据写入方式。
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公开(公告)号：CN113380287B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010114888.7
申请日：2020-02-25
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供了一种磁性存储单元结构及其数据写入方法，磁性存储单元结构包括强自旋轨道耦合层以及设于所述强自旋轨道耦合层上的磁隧道结，强自旋轨道耦合层包括形成预设夹角的第一路径和第二路径，所述第一路径和所述第二路径分别包括设于所述磁隧道结两侧的两个输入端，所述方法包括：通过所述第一路径或第二路径的两个输入端中的其中一个向所述强自旋轨道耦合层输入第一段电流；通过与所述第一段电流不同的路径向所述强自旋轨道耦合层输入预设时间长度的第二段电流以使所述自由层的磁矩发生翻转，其中，输入所述第二段电流的输入端根据所述第一段电流的输入端、待写入数据和所述参考层的磁矩方向确定，本发明可保证磁隧道结磁矩的确定性翻转。
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