公开(公告)号：CN116009294A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310043879.7

申请日：2023-01-29

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 李慧 ,  廖升 ,  王飞 ,  赵蕊 ,  温琛 ,  樊榕 ,  冯丽爽

IPC: G02F1/035 ,  G02F1/03 ,  G02B6/125 ,  G02B6/122 ,  G02B6/14

Abstract: 本发明公开了一种与氮化硅异质集成的铌酸锂薄膜相位调制器，属于集成光学陀螺领域；包括衬底，二氧化硅包层，铌酸锂薄膜‑氮化硅光波导芯层，以及调制电极；其中光波导芯层为脊形结构，包括铌酸锂薄膜层，氮化硅层以及氮化硅载条，满足单模传输条件；氮化硅载条构成多模干涉耦合器、弯曲单元和调制臂；多模干涉耦合器采用分光比接近1比1的一分二结构；利用脊形波导结构进行传光，利用多模干涉耦合器单元进行分光；同时三个调制电极产生电场，使得在两个调制臂中传输的光分别发生相位变化，从而输出两束具有一定相位差的光。基于脊波导对TE模、TM模束缚作用不同实现起偏，即在波导中TE模和TM模的损耗不同，实现较高的偏振消光比。