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公开(公告)号：CN116446045A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310275388.5
申请日：2023-03-16
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明公开了一种单晶薄膜铁电性的调控方法以及具有铁电性的单晶薄膜，该调控方法包括以下步骤：获取单晶薄膜在衬底上的最佳生长条件，所述生长条件包括温度和氧压；在最佳生长条件下，生长出不同厚度的单晶薄膜；根据不同厚度的单晶薄膜与衬底之间的应力大小不同，通过应力调控出薄膜的铁电性。该调控方法不掺杂任何元素，利用衬底对薄膜的应力作用，调控出具有铁电性的单晶薄膜，调控难度低，可满足工业大面积且低成本的生产铁电材料。
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公开(公告)号：CN116288164A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310387999.9
申请日：2023-04-12
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明公开了一种用于纳米团簇束流综合沉积的取样腔，包括设有取样门和连接口的取样腔本体，所述取样腔本体上设置有由取样腔本体外伸入取样腔本体内的传样机构，所述取样腔本体内设置有用于放置样品的两个载样件、用驱动载样将沿靠近或远离取样门方向运动的驱动机构，以及用于驱动两个载样件位置互换的换位机构。本申请提供的一种用于纳米团簇束流综合沉积的取样腔，取样和放样方便，可进行批量化放样和取样，无需每次覆膜完都要打开取样门取样。
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公开(公告)号：CN114318265A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111646259.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明的一种可快速更换靶材的磁控溅射阴极及更换靶材方法，包括靶材安装座及靶材位于烟囱压紧装置和磁箍冷却组件之间，烟囱压紧装置安装在腔体安装法兰上，磁箍冷却组件穿过腔体安装法兰与伸缩驱动机构连接，伸缩驱动机构另一端安装在腔体安装法兰上。更换靶材时，伸缩驱动机构驱动下，磁箍冷却组件下移，利用磁控溅射设备自带的传样系统抓取靶材安装座边上的支耳，从阴极屏蔽罩侧边取出靶材安装座及其中的靶材后送至传样系统的腔室内；再利用传样系统将腔室内的新靶材安装座及靶材送到原磁箍冷却组件正上方，使烟囱压紧装置压住靶材安装座。该发明在不破坏主真空腔真空环境下，实现快速换靶，大幅降低更换靶材的时间，也减少了主真空腔的污染。
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公开(公告)号：CN113488588A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110608381.1
申请日：2021-06-01
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器及其制备方法，该忆阻器的存储介质层由自组装异质结材料制备而成；自组装异质结材料包括钙钛矿量子点和二维纳米材料，其制备方法为：分别配置二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液，将二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液混合后进行超声处理，通过超声诱导零维量子点材料在二维纳米材料上自组装，最后通过旋涂制得。本发明利用自组装异质结材料中非共价键的弱相互作用，对导电细丝的形成或断裂行为进行物理约束，从而实现电压控制的忆阻器，同时异质结结构材料中较长的电流衰减时间，进一步降低了器件的工作能耗，提高了忆阻器的功能性和实用性。
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公开(公告)号：CN114324083B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210011693.9
申请日：2022-01-06
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明涉及在线测试装置，具体涉及一种纳米团簇束流综合沉积在线测试系统，包括测试腔和第一取样腔，第一取样腔上设有沉积腔接口，第一取样腔内部转动连接有衬底座，第一取样腔上连通有纵向取样座、横向取样座，纵向取样座上设有第二取样腔，测试腔内部设有测试机构，纵向取样座、横向取样座内部均设有传样机构，测试机构包括固定于测试腔内部的第一安装座、第二安装座、第三安装座和反射镜，固定于第一安装座上的激光发射器、第一透镜组，固定于第二安装座上的第二透镜组，以及固定于第三安装座上的CCD传感器；本发明提供的技术方案能够有效克服无法有效将样品送入处于真空状态测试腔中的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116315985A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310267438.5
申请日：2023-03-15
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明公开了一种自聚焦自旋太赫兹发射器及应用，具体涉及自旋太赫兹发射设备领域，自聚焦自旋太赫兹发射器包括玻璃衬底、自旋太赫兹薄膜、磁铁对，其中自旋太赫兹薄膜由铁磁材料和两种自旋霍尔角大小相等、方向相反的重金属非磁材料交替排列在铁磁材料上组成。本发明的自聚焦自旋太赫兹发射器，通过特殊排布两种自旋霍尔角大小相等、方向相反的重金属非磁材料，构建自旋太赫兹菲涅尔波带片，使得产生的自旋太赫兹具有汇聚功能，太赫兹产生效率高，同时提升自旋太赫兹发射器的集成度。
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公开(公告)号：CN113488588B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110608381.1
申请日：2021-06-01
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器及其制备方法，该忆阻器的存储介质层由自组装异质结材料制备而成；自组装异质结材料包括钙钛矿量子点和二维纳米材料，其制备方法为：分别配置二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液，将二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液混合后进行超声处理，通过超声诱导零维量子点材料在二维纳米材料上自组装，最后通过旋涂制得。本发明利用自组装异质结材料中非共价键的弱相互作用，对导电细丝的形成或断裂行为进行物理约束，从而实现电压控制的忆阻器，同时异质结结构材料中较长的电流衰减时间，进一步降低了器件的工作能耗，提高了忆阻器的功能性和实用性。
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公开(公告)号：CN114324083A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210011693.9
申请日：2022-01-06
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明涉及在线测试装置，具体涉及一种纳米团簇束流综合沉积在线测试系统，包括测试腔和取样腔，取样腔上设有沉积腔接口，取样腔内部转动连接有衬底座，取样腔上连通有纵向取样座、横向取样座，纵向取样座上设有取样腔，测试腔内部设有测试机构，纵向取样座、横向取样座内部均设有传样机构，测试机构包括固定于测试腔内部的第一安装座、第二安装座、第三安装座和反射镜，固定于第一安装座上的激光发射器、第一透镜组，固定于第二安装座上的第二透镜组，以及固定于第三安装座上的CCD传感器，第一透镜组、第二透镜组、反射镜形成光路并入射至CCD传感器；本发明提供的技术方案能够有效克服无法有效将样品送入处于真空状态测试腔中的缺陷。
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公开(公告)号：CN113584449B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110872823.3
申请日：2021-07-30
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明的一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极，包括靶材、磁体、磁轭及靶座，还包括运动机构；靶材安装在靶座上方，磁体安装在磁轭上，位于靶座下方，磁体与阴极中轴偏心安装，即磁体中心与阴极中轴不重合；运动机构设置在磁轭的下方，磁轭连接到运动机构上，运动机构牵引磁轭从而带动磁体绕阴极中轴螺旋式周期旋转运动，旋转半径逐渐增大。本发明的磁体及磁轭通过运动机构实现螺旋式周期运动，靶材表面磁场同步螺旋式周期运动，靶材被均匀刻蚀，利用率大幅提高。
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公开(公告)号：CN116536621A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310267427.7
申请日：2023-03-15
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明公开了一种基于掩模版法制作自旋太赫兹菲涅尔波带片发射器的方法，包括：在衬底上沉积铁磁材料形成铁磁层，在铁磁层上覆盖掩模版A的阳版并沉积第一类重金属材料，取下掩模版A的阳版，放上掩模版A的阴版并沉积第一类重金属材料，取下掩模版A的阴版，放置掩模版B阳版并沉积第二类重金属材料，取下掩模版B的阳版，放上掩模版B的阴版并沉积第二类重金属材料，制得自旋太赫兹菲涅尔波带片发射器。本发明使用四类掩模版并采用多次沉积方式制备上述自旋太赫兹菲涅尔波带片发射器，制备的太赫兹发射器具有太赫兹产生效率高，加工方便等特点。
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