公开(公告)号：CN115608380B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202210770109.8

申请日：2022-06-30

Applicant: 北京科技大学顺德研究生院

Inventor： 董文钧 ,  王星 ,  李宝珍 ,  周冬雪 ,  薛祥东

IPC: B01J27/047 ,  B01J37/08 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明公开了一种夹层金属暴露的过渡金属硫化物的制备方法，该方法采用氟掺杂诱导金属暴露的策略，具体先通过一步煅烧得到氟掺杂的硫化物，再利用酸溶液中氢离子与氟的强键合力，去除掺杂的氟原子并暴露出内层的金属原子。通过调控氟掺杂的量，有效调控过渡金属硫化物材料表面金属暴露的比例，制备一系列金属暴露的过渡金属硫化物材料。本发明所实的制备方法、工艺简单、反应条件温和；原料及设备廉价易得，成本低；合成时间短、效率高，适合规模化生产。

公开(公告)号：CN117085717A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202210850991.7

申请日：2022-07-19

Applicant: 北京科技大学顺德研究生院

Inventor： 董文钧 ,  贺婷婷 ,  栾庆洁 ,  汤薇 ,  周冬雪 ,  薛祥东

IPC: B01J27/24 ,  B01J37/08 ,  C02F1/30 ,  A61L2/08 ,  C02F101/34 ,  C02F101/38

Abstract: 本发明属于光催化复合材料领域，具体涉及一种K‑C3N4@Bi2WO6多级异质体材料、其快速合成方法及其在光催化杀菌消毒、降解有机污染物方面的应用。本发明提供的K‑C3N4@Bi2WO6多级异质体，以二维多孔片层结构K‑C3N4为载体负载零维Bi2WO6量子点。采用离子交换技术进行异质体可控构筑，在原位煅烧过程中实现K‑C3N4与Bi2WO6‑xBrx在水溶液中自发进行离子交换生成KBr，同时K‑C3N4上N缺陷周围的不饱和C原子与Bi2WO6表面悬键氧键合作用使两者界面接触紧密且增加接触面积，并为光生电子提供传输通道，极大的促进光生电子‑空穴对的分离能力。该方法具有简单、快速、有效构筑异质体等优点，所获得的K‑C3N4@Bi2WO6多级异质体材料具有优异的有机污染物快速低温降解及杀菌性能。

公开(公告)号：CN115608380A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210770109.8

申请日：2022-06-30

Applicant: 北京科技大学顺德研究生院

Inventor： 董文钧 ,  王星 ,  李宝珍 ,  周冬雪 ,  薛祥东

IPC: B01J27/047 ,  B01J37/08 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明公开了一种夹层金属暴露的过渡金属硫化物的制备方法，该方法采用氟掺杂诱导金属暴露的策略，具体先通过一步煅烧得到氟掺杂的硫化物，再利用酸溶液中氢离子与氟的强键合力，去除掺杂的氟原子并暴露出内层的金属原子。通过调控氟掺杂的量，有效调控过渡金属硫化物材料表面金属暴露的比例，制备一系列金属暴露的过渡金属硫化物材料。本发明所实的制备方法、工艺简单、反应条件温和；原料及设备廉价易得，成本低；合成时间短、效率高，适合规模化生产。