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公开(公告)号：CN119623932A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411610784.X
申请日：2024-11-12
Applicant: 北京科技大学 , 新疆众和股份有限公司
IPC: G06Q10/0631 , C25C3/06 , G06Q50/04 , G06N20/00
Abstract: 本发明公开了一种基于电解铝能耗与成分预测实现电解铝工艺优化的方法，属于电解高纯铝应用技术领域，其包括：采集电解铝工艺生产过程中的工艺参数，通过对数据进行关联性分析和理论分析，筛选出模型输入参数和模型输出参数，构建样本数据集；采用预设的机器学习模型构建电解铝能耗与成分预测模型；利用样本数据集对电解铝能耗与成分预测模型进行训练；利用训练好的电解铝能耗与成分预测模型预测出给定工艺参数下的电解铝能耗与成分；并通过对模型输出量的分析，找到最优工艺参数，以优化电解工艺。本发明可避免实验耗时耗力的问题，降低工艺优化成本，提高工艺优化效率，从而提供潜在的经济和社会效益。
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公开(公告)号：CN118811841A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310416439.1
申请日：2023-04-19
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米α‑Al2O3晶体材料的制备方法，属于无机材料制备技术领域。该方法首先将拟薄水铝石加入到异丙醇和助剂的混合液中，均匀混合后经球磨或高速搅拌后，在水热环境中静置24h，所得产物过滤后进行干燥，再进行焙烧处理，即得到纳米α‑Al2O3晶体材料。本发明通过简单的醇铝法同时使用沉淀法修饰手段，制备出纳米α‑Al2O3晶体材料，并可以提升纳米α‑Al2O3晶体生产纯度。本发明合成设备简单，原料简单易得，晶体尺寸可控。
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公开(公告)号：CN118529762A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310156427.X
申请日：2023-02-23
Applicant: 新疆众和股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种添加剂调控纳米氧化铝粒径与晶相的方法，属于纳米Al2O3晶相调控技术领域。该方法是将水合氢氧化铝、添加剂与溶剂按重量比例为(10‑20)：100：(1‑5)混合后获得混合溶液，然后将混合溶液在800‑1200℃温度下进行煅烧处理，制备出纳米氧化铝；通过调节混合溶液中添加剂的质量分数、种类，并对煅烧温度进行控制，能够调控所得纳米氧化铝的晶相和粒径尺寸。该方法通过调节添加剂种类与含量，修饰勃姆石颗粒表面基团，调整能量分布，促进焙烧时颗粒外表面电子场能量提高，抑制煅烧过程中热效应的诱发团聚，实现了氧化铝纳米颗粒制备的工艺控制。
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公开(公告)号：CN117259290A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210672246.8
申请日：2022-06-14
Applicant: 新疆众和股份有限公司
IPC: B08B3/02 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B3/12 , B08B3/14 , B08B13/00 , B08B15/04 , C23C14/34 , F26B21/00
Abstract: 本发明公开一种溅射残靶的处理系统，包括材料架、转运装置、酸洗单元、水洗单元、喷淋单元、以及干燥处理单元，所述材料架，用于码放溅射残靶；所述转运装置，用于移动所述材料架，以使溅射残靶和材料架一起进出所述酸洗单元、所述水洗单元、所述喷淋单元、以及所述干燥处理单元；所述酸洗单元，用于对溅射残靶进行酸洗，以溶解溅射残靶上的焊料；所述水洗单元，用于接收酸洗单元处理后的溅射残靶并对其进行超声清洗；所述喷淋单元，用于接收水洗单元处理后的溅射残靶并对其进行高压水喷淋；所述干燥处理单元，用于接收喷淋单元处理后的溅射残靶并对其进行风切烘干。本发明清除效率高，操作简单，能够实现对溅射残靶的高品质、高效率回收。
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公开(公告)号：CN117265547A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210670586.7
申请日：2022-06-14
Applicant: 新疆众和股份有限公司
IPC: C23G3/00 , C23G1/36 , C23C14/34 , B08B3/02 , B08B3/10 , B08B3/12 , B08B13/00 , B08B15/04 , F26B21/00
Abstract: 本发明公开一种溅射残靶的处理方法，包括：预处理：清除溅射残靶上的焊料，并对溅射残靶进行定尺切割，得到多个残靶切块；酸洗处理：将残靶切块放入到酸洗溶液中浸泡并搅拌进行酸洗，直至残靶切块上残留的焊料完全溶解；水洗处理：先将酸洗处理后的残靶切块放入到水中进行超声清洗，再用水对其进行喷淋；干燥处理：将水洗处理后的残靶切块转移至风切烘干工位烘干，得到高纯度的溅射残靶回收料。本发明可实现对溅射残靶的高品质、高效率回收。
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公开(公告)号：CN117107093A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210534804.4
申请日：2022-05-17
Applicant: 新疆众和股份有限公司 , 中国科学院高能物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种超导电缆铝稳定体用高纯铝杆材料及其制备方法，属于工业高纯铝技术领域。本发明方法是以超高纯铝为原料，通过Ni和Be进行成分优化设计及微合金化方法控制Al‑Ni‑Be相的形态及分布，从而使高纯铝基体得到强化，同时减小杂质元素对高纯铝导电性的影响；该高纯铝杆材料屈服强度大于75MPa，RRR值大于400。
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公开(公告)号：CN114951607A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210649979.X
申请日：2022-06-09
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
Abstract: 本发明公开了一种真空熔渗法制备石墨泡沫/Cu复合材料的方法，属于电子封装功能材料领域，本发明在石墨泡沫表面施覆一层碳化钼层以改善铜与石墨表面的浸润性，随后进行真空熔渗获得铜/石墨泡沫复合材料，其中Cu在熔点以上进行熔渗，熔融的铜溶液在重力以及毛细管力的作用下填充石墨泡沫内部的孔洞，同时石墨泡沫作为增强体，具有复杂的三维结构，结构稳定，强度高，各项力学性能均较为优异，进而所获得的石墨泡沫/Cu复合材料高导热、低密度、低膨胀，且相比于传统的金刚石增强铜基复合材料后期加工处理难度极低，是一种应用前景非常好的电子封装用基体材料。
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公开(公告)号：CN116313529B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202211500975.1
申请日：2022-11-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01G9/055
Abstract: 本发明公开了一种高压阳极铝箔腐蚀发孔表面预处理方法，涉及高性能铝电解电容器中所使用的高压阳极铝箔的制造领域。本发明针对高压阳极铝箔制造过程中腐蚀发孔不均匀、隧道孔并孔等问题，在腐蚀发孔工艺前，首先采用酸性溶液抛光去除铝箔表面轧痕缺陷和氧化膜，并进一步对抛光整平后的铝箔表面进行自组装掺杂缓蚀剂的高分子膜，经过两步组合预处理来改善铝箔腐蚀发孔均匀性，减轻腐蚀发孔和扩孔过程中的并孔现象，进而提高高压阳极铝箔比电容和综合性能。
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公开(公告)号：CN114951607B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210649979.X
申请日：2022-06-09
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
Abstract: 本发明公开了一种真空熔渗法制备石墨泡沫/Cu复合材料的方法，属于电子封装功能材料领域，本发明在石墨泡沫表面施覆一层碳化钼层以改善铜与石墨表面的浸润性，随后进行真空熔渗获得铜/石墨泡沫复合材料，其中Cu在熔点以上进行熔渗，熔融的铜溶液在重力以及毛细管力的作用下填充石墨泡沫内部的孔洞，同时石墨泡沫作为增强体，具有复杂的三维结构，结构稳定，强度高，各项力学性能均较为优异，进而所获得的石墨泡沫/Cu复合材料高导热、低密度、低膨胀，且相比于传统的金刚石增强铜基复合材料后期加工处理难度极低，是一种应用前景非常好的电子封装用基体材料。
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公开(公告)号：CN116313529A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211500975.1
申请日：2022-11-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01G9/055
Abstract: 本发明公开了一种高压阳极铝箔腐蚀发孔表面预处理方法，涉及高性能铝电解电容器中所使用的高压阳极铝箔的制造领域。本发明针对高压阳极铝箔制造过程中腐蚀发孔不均匀、隧道孔并孔等问题，在腐蚀发孔工艺前，首先采用酸性溶液抛光去除铝箔表面轧痕缺陷和氧化膜，并进一步对抛光整平后的铝箔表面进行自组装掺杂缓蚀剂的高分子膜，经过两步组合预处理来改善铝箔腐蚀发孔均匀性，减轻腐蚀发孔和扩孔过程中的并孔现象，进而提高高压阳极铝箔比电容和综合性能。
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