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公开(公告)号：CN114686944B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210367631.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 北京科技大学 , 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种降低无氧铜二次电子产额的表面处理方法，属于空间真空微波器件制造领域。该方法包括：对无氧铜薄片进行第一次超声清洗后作为阳极，在CuSO4溶液中进行表面电解处理，后进行第二次超声清洗备用；制备氧化石墨烯悬浮镀液和硫酸铜镀液；对无氧铜薄片进行第一次电化学沉积，在基体表面得到氧化石墨烯涂层，后进行第二次电化学沉积，在基体表面得到氧化石墨烯/铜的复合涂层；置于空气中自然干燥，后进行气氛热处理，得到还原氧化石墨烯/铜复合涂层。本发明方案所制备的还原氧化石墨烯‑铜复合涂层具有优良的结合强度，优良的热稳定性，优良的电子吸收性能，能够有效降低无氧铜的二次电子产额。
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公开(公告)号：CN114686944A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210367631.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 北京科技大学 , 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种降低无氧铜二次电子产额的表面处理方法，属于空间真空微波器件制造领域。该方法包括：对无氧铜薄片进行第一次超声清洗后作为阳极，在CuSO4溶液中进行表面电解处理，后进行第二次超声清洗备用；制备氧化石墨烯悬浮镀液和硫酸铜镀液；对无氧铜薄片进行第一次电化学沉积，在基体表面得到氧化石墨烯涂层，后进行第二次电化学沉积，在基体表面得到氧化石墨烯/铜的复合涂层；置于空气中自然干燥，后进行气氛热处理，得到还原氧化石墨烯/铜复合涂层。本发明方案所制备的还原氧化石墨烯‑铜复合涂层具有优良的结合强度，优良的热稳定性，优良的电子吸收性能，能够有效降低无氧铜的二次电子产额。
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公开(公告)号：CN119400672A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411516620.0
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)
Abstract: 本发明实施例公开行一种行波管高频组件及其装配方法，行波管高频组件包括：行波管高频组件，高频组件包括复合管壳和设置在复合管壳中的全金属慢波结构，复合管壳包括钎焊在一起的电子枪焊接盘、极靴和隔环、以及收集极焊盘，全金属慢波结构由多个径向分腔体构成，多个径向分腔体通过高温扩散焊固定在复合管壳中。该高频组件不需要使用薄壁管壳，装配简单，可缩小磁系统内径，增加可聚束电流，进而在电压不变情况下增加输出功率。复合管壳与全金属慢波结构通过圆形配合，加工精度误差可为0.08mm。多个径向分腔体仅通过高温扩散焊即可固定在复合管壳中，工艺流程简单，装配效率和精度高，避免了焊料流入慢波结构内部引发的匹配度变差的问题。
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