一种岩石声发射信号的降噪办法及系统

    公开(公告)号:CN116340731A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202310609284.3

    申请日:2023-05-29

    Abstract: 本发明涉及一种岩石声发射信号的降噪办法及系统,属于信号处理技术领域,能够对岩石声发射信号特征进行更加精确地解析,有效减少噪声信号对岩石声发射信号研究的影响;该方法包括:S1、对岩石声发射含噪信号进行分解提取出IMF分量和残余分量;S2、计算各IMF分量的相关性系数、排列熵及方差贡献率,并通过聚类分析的方式得到各参数的筛选阈值;S3、根据相关性系数和排列熵进行相关性判别得到高相关和低相关IMF分量;S4、对高相关IMF分量进行小波阈值降噪;对低相关IMF分量根据方差贡献比进行筛选;S5、对降噪后的高相关IMF分量、筛选出的低相关IMF分量以及残余分量进行重构,得到优化后岩石声发射信号。

    一种手征向列相液晶材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101544895A

    公开(公告)日:2009-09-30

    申请号:CN200910083856.9

    申请日:2009-05-08

    Abstract: 本发明涉及液晶材料技术领域,特别涉及一种手征向列相液晶材料的制备方法,根据螺距大小的不同,可应用于温度指示、无损检测、防伪商标、低阈值激光、液晶显示器件的彩色滤光片、光增亮膜及节能玻璃贴膜等领域。具体制备工艺为:将具有手性翻转性能的手性化合物或者手征性液晶、常规手性化合物、向列相液晶按照一定质量比混配均匀,其中,具有手性翻转性能的手性化合物或者手征性液晶的质量分数为59.9~0.1%,常规手性化合物的质量分数为0.1~59.9%,向列相液晶的质量分数为40.0~99.8%。优点是所制备的手征向列相液晶材料的螺距可随温度改变而改变,其增大或减小趋势可根据配方比例自由控制调整。

    一种具有宽波反射的高分子稳定液晶薄膜材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101354460A

    公开(公告)日:2009-01-28

    申请号:CN200810222703.3

    申请日:2008-09-22

    Abstract: 本发明提供了一种具有宽波反射特性的高分子稳定液晶薄膜材料的制备方法,涉及光学薄膜材料技术领域,特别涉及一种液晶显示器光增亮膜及红外光屏蔽薄膜材料制备方法。将近晶A相液晶、向列相液晶、侧链型高分子液晶、手性化合物、紫外光可聚合液晶单体、光引发剂按照一定质量比混配均匀,然后注入到预先经过平面取向的液晶盒中,之后在293~453K下保温处理,使灌注的混配体系形成稳定的平面织构。对经平面取向后的液晶盒进行紫外光辐照,紫外光可聚合液晶单体分子间发生聚合交联,形成高分子网络,使液晶分子的平面织构稳定下来,并最终得到具有宽波反射特性的PSLC材料。制备的高分子稳定液晶(PSLC)光学薄膜材料能实现宽波反射,且反射波宽随温度改变而改变,可覆盖反射波长范围300-2500nm。

    一种岩石声发射信号的降噪办法及系统

    公开(公告)号:CN116340731B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310609284.3

    申请日:2023-05-29

    Abstract: 本发明涉及一种岩石声发射信号的降噪办法及系统,属于信号处理技术领域,能够对岩石声发射信号特征进行更加精确地解析,有效减少噪声信号对岩石声发射信号研究的影响;该方法包括:S1、对岩石声发射含噪信号进行分解提取出IMF分量和残余分量;S2、计算各IMF分量的相关性系数、排列熵及方差贡献率,并通过聚类分析的方式得到各参数的筛选阈值;S3、根据相关性系数和排列熵进行相关性判别得到高相关和低相关IMF分量;S4、对高相关IMF分量进行小波阈值降噪;对低相关IMF分量根据方差贡献比进行筛选;S5、对降噪后的高相关IMF分量、筛选出的低相关IMF分量以及残余分量进行重构,得到优化后岩石声发射信号。

    一种能实现宽波反射的液晶偏振片制造方法

    公开(公告)号:CN1776483A

    公开(公告)日:2006-05-24

    申请号:CN200510086996.3

    申请日:2005-11-25

    Abstract: 本发明提供了一种能实现宽波反射的液晶偏振片制造方法,属于液晶显示技术。具体制造工艺为:混合液晶:由一种螺距随温度变化的胆甾相液晶、可光聚合单体及光引发剂的混合而成。将按上述成分混配好的液晶注入未作表面处理或作沿面取向处理的液晶盒或薄膜中,液晶处于透明的平面织构状态,混合体系仍处于胆甾相的状态下,进行紫外照射,使光可聚合单体交联成高分子网络,照射后升温或降温至使用温度,得到宽波段的液晶偏振片。本发明的优点在于:可以实现宽波段的反射液晶偏振片,并且这种偏振片的反射宽度随使用温度的不同而不同,因此可以应用在一些需要利用温度自行调节反射波段的场合,如节能的玻璃等,且加工设备简单。

    一种岩石封闭应力的确定方法

    公开(公告)号:CN113433150B

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202110729551.1

    申请日:2021-06-29

    Abstract: 本发明提供了一种岩石封闭应力的确定方法,涉及地质勘测技术领域,能够实现对岩石封闭应力的准确测量,为地质勘测提供依据;该方法步骤包括:S1、对岩石进行矿物成分测量,选择满足测试条件的岩石作为待测样品,并确定坐标系;S2、获取所述待测样品的X射线衍射光谱,根据X射线衍射光谱确定测量晶面;S3、对所述测量晶面进行步进扫描测试;S4、根据S3的测试结果计算封闭应力;S5、计算封闭应力的主应力大小和方向。本发明提供的技术方案适用于岩石封闭应力测量的过程中。

    一种具有宽波反射的高分子稳定液晶薄膜材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101354460B

    公开(公告)日:2010-04-07

    申请号:CN200810222703.3

    申请日:2008-09-22

    Abstract: 本发明提供了一种具有宽波反射特性的高分子稳定液晶薄膜材料的制备方法,涉及光学薄膜材料技术领域,特别涉及一种液晶显示器光增亮膜及红外光屏蔽薄膜材料制备方法。将近晶A相液晶、向列相液晶、侧链型高分子液晶、手性化合物、紫外光可聚合液晶单体、光引发剂按照一定质量比混配均匀,然后注入到预先经过平面取向的液晶盒中,之后在293~453K下保温处理,使灌注的混配体系形成稳定的平面织构。对经平面取向后的液晶盒进行紫外光辐照,紫外光可聚合液晶单体分子间发生聚合交联,形成高分子网络,使液晶分子的平面织构稳定下来,并最终得到具有宽波反射特性的PSLC材料。制备的高分子稳定液晶(PSLC)光学薄膜材料能实现宽波反射,且反射波宽随温度改变而改变,可覆盖反射波长范围300-2500nm。

    一种双向温控光学开关材料

    公开(公告)号:CN100516983C

    公开(公告)日:2009-07-22

    申请号:CN200710177915.X

    申请日:2007-11-22

    Abstract: 本发明提供了一种双向温控光学开关材料,可以通过调节环境温度来实现材料对红外光谱反射状态的控制,属于高分子分散液晶材料领域。由可聚合单体/向列相液晶/手性化合物/光引发剂组成的混合物,在不同的温度下聚合具有不同的开关状态。本发明的的优点在于:由于诱导手性向列相液晶的螺距随温度升高先增大后减小的特性及高分子骨架对液晶分子的锚定作用,使这种高分子分散液晶材料拥有了双向光学开关的特性。这种新异的性质有希望用于温敏光学元件控制领域。

    一种双向温控光学开关材料

    公开(公告)号:CN101158758A

    公开(公告)日:2008-04-09

    申请号:CN200710177915.X

    申请日:2007-11-22

    Abstract: 本发明提供了一种双向温控光学开关材料,可以通过调节环境温度来实现材料对红外光谱反射状态的控制,属于高分子分散液晶材料领域。由可聚合单体/向列相液晶/手性化合物/光引发剂组成的混合物,在不同的温度下聚合具有不同的开关状态。本发明的优点在于:由于诱导手性向列相液晶的螺距随温度升高先增大后减小的特性及高分子骨架对液晶分子的锚定作用,使这种高分子分散液晶材料拥有了双向光学开关的特性。这种新异的性质有希望用于温敏光学元件控制领域。

    一种聚合物分散液晶薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN1790118A

    公开(公告)日:2006-06-21

    申请号:CN200510130736.1

    申请日:2005-12-27

    Abstract: 本发明提供了一种聚合物分散液晶薄膜的制备方法,属于液晶应用领域。本发明是将单体与液晶材料按质量百分比为2∶8~5∶5之间混和均匀,加入玻璃微珠、光引发剂按一定比例混合均匀,涂覆于两层透明氧化铟锡导电塑料薄膜之间,通过滚轴挤压成薄膜,在实验所用配方混合体系清亮点以上0.5℃~150℃之间的温度下,采用照射强度为15-50mW/cm2的紫外光,照射1~15分钟,固化成PDLC薄膜。优点在于:刚性链段加强了聚合物网络的热稳定性;单体与液晶的相容性优化了聚合物网络的结构,在提高聚合物分散液晶薄膜材料热稳定性的同时提高聚合物分散液晶材料的综合电—光性能。

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