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公开(公告)号：CN113025954A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110254760.5
申请日：2021-03-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种调控铁磁多层膜相互作用的方法，属于高密度信息存储及传感技术领域。在经过表面酸化处理和超声清洗的Si基片上，沉积铂Pt/钴Co/钽Ta多层膜。沉积完毕后，对薄膜进行砷As离子注入，通过As离子调节与界面处的电子轨道占据以影响多层膜的自旋轨道耦合强度，从而调控铁磁多层膜的DM相互作用。本发明通过As离子注入的方法直接调节多层膜界面的轨道占据，从而改变自旋‑轨道耦合作用，最终调控多层膜界面的DM相互作用，该方法不依赖于特殊材料体系，具有普适性；并且，该方法可以通过改变注入离子源、注入能量以及注入密度等参数实现DM相互作用不同程度的调控，工艺简单，成本低且可控性强，能够应用于未来自旋电子学技术中。
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公开(公告)号：CN113025954B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110254760.5
申请日：2021-03-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种调控铁磁多层膜相互作用的方法，属于高密度信息存储及传感技术领域。在经过表面酸化处理和超声清洗的Si基片上，沉积铂Pt/钴Co/钽Ta多层膜。沉积完毕后，对薄膜进行砷As离子注入，通过As离子调节与界面处的电子轨道占据以影响多层膜的自旋轨道耦合强度，从而调控铁磁多层膜的DM相互作用。本发明通过As离子注入的方法直接调节多层膜界面的轨道占据，从而改变自旋‑轨道耦合作用，最终调控多层膜界面的DM相互作用，该方法不依赖于特殊材料体系，具有普适性；并且，该方法可以通过改变注入离子源、注入能量以及注入密度等参数实现DM相互作用不同程度的调控，工艺简单，成本低且可控性强，能够应用于未来自旋电子学技术中。
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