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公开(公告)号：CN102079541B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110058283.1
申请日：2011-03-10
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种低温下制备掺杂型六方晶系纳米ZnS的方法，属于半导体材料领域。其特征是利用反胶束法在低于100℃的温度下合成掺有过渡金属和稀土离子的六方晶型纳米ZnS，其中油相为有机溶剂，水相为锌盐水溶液，以N,N-二甲基甲酰胺作为溶剂，锌盐作为锌离子来源，硫脲作为硫离子来源，巯基乙酸作为表面活性剂。通过油浴来控制加热温度，整个反应在空气中进行，无需采取任何隔绝空气措施。本发明操作简单，所需反应皆在液相中进行，无需后续高温退火处理，反应条件温和，节能环保，为实现在低温下大规模生产稳定性高、水溶性好的六方晶型纳米ZnS提供了一个经济可行的途径。
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公开(公告)号：CN102079541A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201110058283.1
申请日：2011-03-10
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种低温下制备掺杂型六方晶系纳米ZnS的方法，属于半导体材料领域。其特征是利用反胶束法在低于100℃的温度下合成掺有过渡金属和稀土离子的六方晶型纳米ZnS，其中油相为有机溶剂，水相为锌盐水溶液，以N,N-二甲基甲酰胺作为溶剂，锌盐作为锌离子来源，硫脲作为硫离子来源，巯基乙酸作为表面活性剂。通过油浴来控制加热温度，整个反应在空气中进行，无需采取任何隔绝空气措施。本发明操作简单，所需反应皆在液相中进行，无需后续高温退火处理，反应条件温和，节能环保，为实现在低温下大规模生产稳定性高、水溶性好的六方晶型纳米ZnS提供了一个经济可行的途径。
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公开(公告)号：CN103242360B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310181817.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用。该含硫原子的并五苯衍生物的结构式如式Ⅰ-1或式Ⅰ-2所示。本发明提供的合成路线简洁高效；原料简单易得；合成方法具有普适性，可以推广应用到含各种取代基的线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物合成中；该类化合物是具有较大的π-共轭平面，很好的溶解性可用于溶液法制备高迁移率的OFET器件；该类化合物具有较低的最高占用分子轨道能级（HOMO），空气中稳定性好，有利于得到空气中稳定的高迁移率和高开关比的OFET器件；以本发明的实施例线形可溶性含硫原子的并五苯衍生混合物ADT-TES为有机半导体层制备的OFET的迁移率（μ）和开关比较高（μ最高为2.3×10-4cm2V-1s-1，开关比大于104），在OFET中具有一定的应用前景。
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公开(公告)号：CN103242360A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310181817.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用。该含硫原子的并五苯衍生物的结构式如式Ⅰ-1或式Ⅰ-2所示。本发明提供的合成路线简洁高效；原料简单易得；合成方法具有普适性，可以推广应用到含各种取代基的线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物合成中；该类化合物是具有较大的π-共轭平面，很好的溶解性可用于溶液法制备高迁移率的OFET器件；该类化合物具有较低的最高占用分子轨道能级（HOMO），空气中稳定性好，有利于得到空气中稳定的高迁移率和高开关比的OFET器件；以本发明的实施例线形可溶性含硫原子的并五苯衍生混合物ADT-TES为有机半导体层制备的OFET的迁移率（μ）和开关比较高（μ最高为2.3×10-4cm2V-1s-1，开关比大于104），在OFET中具有一定的应用前景。
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