公开(公告)号：CN117637274B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202410091966.4

申请日：2024-01-23

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 郑新奇 ,  王守国 ,  王鼎淞 ,  高亚伟 ,  刘昊 ,  甄珊珊 ,  潘洋 ,  高嘉浩 ,  张静言

IPC: H01F1/01 ,  C22C38/02 ,  C22C38/00 ,  C22C33/04 ,  C21D6/00 ,  C21D1/26 ,  C21D1/773 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明公开了一种低磁场的稀土‑铁‑硅磁制冷材料、制备方法及用途，磁制冷材料在＜7K的超低温区、0‑2 T磁场变化下，磁制冷材料的磁熵变峰值不低于9 J·kg‑1·K‑1，磁制冷材料为以下通式的化合物：RFe2Si2，RFe2Si2为ThCr2Si2型体心四方结构，其中，R为稀土元素；R满足以下通式关系：AxBy，A为Er、Ho元素中的一种，B为Gd、Tm元素中的至少一种，x+y=1，1≥x≥0.2。通过本发明制备得到的稀土‑铁‑硅磁制冷材料，制备工艺简捷，成本低，并且在超低温区（＜7K）、低磁场（0‑2 T）变化下呈现出大磁热效应，具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN117637274A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202410091966.4

申请日：2024-01-23

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 郑新奇 ,  王守国 ,  王鼎淞 ,  高亚伟 ,  刘昊 ,  甄珊珊 ,  潘洋 ,  高嘉浩 ,  张静言

IPC: H01F1/01 ,  C22C38/02 ,  C22C38/00 ,  C22C33/04 ,  C21D6/00 ,  C21D1/26 ,  C21D1/773 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明公开了一种低磁场的稀土‑铁‑硅磁制冷材料、制备方法及用途，磁制冷材料在＜7K的超低温区、0‑2 T磁场变化下，磁制冷材料的磁熵变峰值不低于9 J·kg‑1·K‑1，磁制冷材料为以下通式的化合物：RFe2Si2，RFe2Si2为ThCr2Si2型体心四方结构，其中，R为稀土元素；R满足以下通式关系：AxBy，A为Er、Ho元素中的一种，B为Gd、Tm元素中的至少一种，x+y=1，1≥x≥0.2。通过本发明制备得到的稀土‑铁‑硅磁制冷材料，制备工艺简捷，成本低，并且在超低温区（＜7K）、低磁场（0‑2 T）变化下呈现出大磁热效应，具有重要的应用价值。