公开(公告)号：CN118600384A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410975035.0

申请日：2024-07-19

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 冯春 ,  祝荣贵 ,  孟飞 ,  王博毅 ,  于广华

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  C23C14/54 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18

Abstract: 一种自旋态控制的超高磁电阻薄膜及其制备方法，属于磁性薄膜和磁传感领域。薄膜材料为（111）或（110）单晶MgO基底上生长的MgO/NiFe/MgO/Ta多层膜结构，利用单晶MgO基底控制NiFe的原子间距和原子排列方式，促进O原子进入NiFe晶格并通过超交换相互作用调节NiFe的晶体场，进而优化NiFe的自旋态，最终获得超高各向异性磁电阻的NiFe薄膜。在经过氧气环境退火和超声清洗处理的单晶MgO基片上，沉积氧化镁MgO/坡莫合金NiFe/氧化镁MgO/钽Ta多层膜结构，获得具有超高各向异性磁电阻的薄膜。本发明通过控制材料的晶体场优化NiFe的自旋态，提高各向异性磁电阻，制备的NiFe薄膜具有超高的各向异性磁电阻比率，同时具有很小的磁滞现象，能够满足超高灵敏度的各向异性磁电阻效应磁传感器的需求。