-
公开(公告)号：CN102674848B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201210139332.9
申请日：2012-05-07
Applicant: 北京科技大学 , 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/565
Abstract: 本发明属于无机化学领域，涉及一种制备化学液气相沉积工艺用SiC陶瓷先驱体的方法，特别涉及一种以聚二甲基硅烷为原料，采用热解、蒸馏的工艺制备化学液气相沉积工艺用液态SiC陶瓷先驱体的方法。本发明通过对聚二甲基硅烷在不同的温度下进行热解、分馏，制得沸点范围在100～200°C的SiC陶瓷先驱体。本发明制备的化学液气相沉积工艺用SiC陶瓷先驱体具有常温下稳定，沸点低（200°C以下），流动性好且对环境无腐蚀，沉积效率高，裂解产物为近化学计量比的β-SiC，并且沉积和裂解过程中产生的副产物对环境无腐蚀无污染等优点，同时本发明的制备工艺简单，制备周期短，成本低。
-
公开(公告)号：CN102795871A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210147844.X
申请日：2012-05-14
Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学 , 北京科技大学
IPC: C04B35/83 , C04B35/565 , C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于C/SiC陶瓷基复合材料制备的技术领域，涉及一种快速制备C/SiC陶瓷基复合材料的方法。本发明以低分子液态聚碳硅烷为先驱体，碳纤维预制件为骨架，采用脉冲式加热的化学液气相沉积工艺快速制备C/SiC陶瓷基复合材料。本发明采用脉冲式的加热方式，可以有效改善化学液气相沉积工艺中先驱体的渗透过程，使得制备的C/SiC陶瓷基复合材料密度分布均匀且致密度高；同时，本发明制备C/SiC陶瓷基复合材料的方法具有生产周期短、原料利用率高、生产成本低等优点。本发明技术制备C/SiC复合材料的工艺过程及设备简单，对环境无污染。
-
公开(公告)号：CN101885614B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201010230561.2
申请日：2010-07-19
Applicant: 北京科技大学
IPC: C09J11/06 , C04B35/634
Abstract: 一种注射成形用先驱体水溶性粘结剂及制备方法，属于粉末注射成形技术领域。其工艺特点是：在恒温装置中，在低于聚合物熔点的适当温度下，先将低熔点的PEG完全融化，然后加入称好的SA和PCS并不停搅拌，最后分批加入PVB并强力搅拌直至得到均匀的乳状物，待其冷却取出，最终制得相容性好的先驱体水溶性粘结剂。各组元质量分数为(60～70)％PEG(1000～6000)+(10～25)％PVB+(10～25)％PCS+(5～10)％SA。本发明的优点在于采用的水溶性粘结剂体系中的成分属于环境友好型，且溶脱溶剂为蒸馏水，脱脂速率快，成本低；使用PCS作为粘结剂组元用于粉末注射成形，裂解时原位生成的纳米SiC颗粒细小且分布均匀，对基体材料起到很好的增强效果。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101885614A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010230561.2
申请日：2010-07-19
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/634
Abstract: 一种注射成形用先驱体水溶性粘结剂及制备方法，属于粉末注射成形技术领域。其工艺特点是：在恒温装置中，在低于聚合物熔点的适当温度下，先将低熔点的PEG完全融化，然后加入称好的SA和PCS并不停搅拌，最后分批加入PVB并强力搅拌直至得到均匀的乳状物，待其冷却取出，最终制得相容性好的先驱体水溶性粘结剂。各组元质量分数为(60～70)％PEG(1000～6000)+(10～25)％PVB+(10～25)％PCS+(5～10)％SA。本发明的优点在于采用的水溶性粘结剂体系中的成分属于环境友好型，且溶脱溶剂为蒸馏水，脱脂速率快，成本低；使用PCS作为粘结剂组元用于粉末注射成形，裂解时原位生成的纳米SiC颗粒细小且分布均匀，对基体材料起到很好的增强效果。
-
公开(公告)号：CN101913878B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010230573.5
申请日：2010-07-19
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/622
Abstract: 一种制备碳化硅颗粒增强氮化硅复合陶瓷零件的方法，属于陶瓷零件制备技术领域。是将SiC粉末、Si3N4粉末及烧结助剂与石蜡基多组元粘结剂混合成均匀的喂料，喂料经注射成形所得的预成形坯经溶脱、热脱、1150～1200℃预烧结后，置于真空碳管炉在1800～1900℃、Ar气氛下常压烧结，制得SiCp/Si3N4复合陶瓷零件。本发明的优点是：可直接制备出几何形状复杂的SiCp/Si3N4复合陶瓷制品；制品组织均匀，尺寸精度高，且无须后续加工；可实现SiCp/Si3N4材料与零件的一体化成形；建立了具有形状复杂和尺寸精度高的SiCp/Si3N4复合陶瓷零件的低成本制备技术。
-
公开(公告)号：CN101913878A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010230573.5
申请日：2010-07-19
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/622
Abstract: 一种制备碳化硅颗粒增强氮化硅复合陶瓷零件的方法，属于陶瓷零件制备技术领域。是将SiC粉末、Si3N4粉末及烧结助剂与石蜡基多组元粘结剂混合成均匀的喂料，喂料经注射成形所得的预成形坯经溶脱、热脱、1150～1200℃预烧结后，置于真空碳管炉在1800～1900℃、Ar气氛下常压烧结，制得SiCp/Si3N4复合陶瓷零件。本发明的优点是：可直接制备出几何形状复杂的SiCp/Si3N4复合陶瓷制品；制品组织均匀，尺寸精度高，且无须后续加工；可实现SiCp/Si3N4材料与零件的一体化成形；建立了具有形状复杂和尺寸精度高的SiCp/Si3N4复合陶瓷零件的低成本制备技术。
-
公开(公告)号：CN102674848A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210139332.9
申请日：2012-05-07
Applicant: 北京科技大学 , 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/565
Abstract: 本发明属于无机化学领域，涉及一种制备化学液气相沉积工艺用SiC陶瓷先驱体的方法，特别涉及一种以聚二甲基硅烷为原料，采用热解、蒸馏的工艺制备化学液气相沉积工艺用液态SiC陶瓷先驱体的方法。本发明通过对聚二甲基硅烷在不同的温度下进行热解、分馏，制得沸点范围在100～200°C的SiC陶瓷先驱体。本发明制备的化学液气相沉积工艺用SiC陶瓷先驱体具有常温下稳定，沸点低（200°C以下），流动性好且对环境无腐蚀，沉积效率高，裂解产物为近化学计量比的β-SiC，并且沉积和裂解过程中产生的副产物对环境无腐蚀无污染等优点，同时本发明的制备工艺简单，制备周期短，成本低。
-
公开(公告)号：CN102173853A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110044350.4
申请日：2011-02-16
Applicant: 北京科技大学 , 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种制备高度定向贯通型多孔SiC陶瓷材料的方法。通过对碳纤维预制件进行结构控制，化学液气相沉积处理，机械加工以及高温氧化处理，制得一维、二维及三维定向贯通型多孔SiC陶瓷材料。本发明制备的高度定向贯通型多孔SiC陶瓷材料具有孔径可控、孔隙高度定向排列、长径比大、孔隙形态为连续纤维状贯通孔等优点，同时本发明的制备工艺简单，制备周期短，成本低。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.017 seconds)
