公开(公告)号：CN103114215A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201310080321.2

申请日：2013-03-13

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 韦玉平 ,  刘丽华 ,  栗峰 ,  李阳 ,  杨善武 ,  曹国辉

IPC: C22C1/04 ,  C01B33/00 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明一种含Ga笼状化合物的制备方法，该方法按照预合成的含Ga化合物的分子式，以高纯单质元素为原料，除Ga外，均按名义成分称量，Ga元素为名义成分的2~4倍，在Ar气保护下于电弧炉内冶炼，所得合金敲碎，于研钵中充分研磨。根据SPS系统模具的尺寸和样品的密度，选取适量的粉末，SPS烧结。设定合适的烧结温度，压强及保温时间将烧结压坯取出，剥离表面包裹的石墨纸，并打磨表面，去除石墨扩散层。若仍有杂相，重复（3）~（5）过程。本方法的优点在于：含Ga的杂相在SPS加压烧结的过程中不断从样品中流出，同时带出其他杂相，因此能够得到成相良好的单相含Ga笼状化合物，有效减少杂相。制备工艺简洁，耗时短，能耗少。

公开(公告)号：CN103114215B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201310080321.2

申请日：2013-03-13

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 韦玉平 ,  刘丽华 ,  栗峰 ,  李阳 ,  杨善武 ,  曹国辉

IPC: C22C1/04 ,  C01B33/00 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明一种含Ga笼状化合物的制备方法，该方法按照预合成的含Ga化合物的分子式，以高纯单质元素为原料，除Ga外，均按名义成分称量，Ga元素为名义成分的2~4倍，在Ar气保护下于电弧炉内冶炼，所得合金敲碎，于研钵中充分研磨。根据SPS系统模具的尺寸和样品的密度，选取适量的粉末，SPS烧结。设定合适的烧结温度，压强及保温时间将烧结压坯取出，剥离表面包裹的石墨纸，并打磨表面，去除石墨扩散层。若仍有杂相，重复（3）~（5）过程。本方法的优点在于：含Ga的杂相在SPS加压烧结的过程中不断从样品中流出，同时带出其他杂相，因此能够得到成相良好的单相含Ga笼状化合物，有效减少杂相。制备工艺简洁，耗时短，能耗少。