公开(公告)号：CN102931342A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210421031.5

申请日：2012-10-29

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 于广华 ,  王守国 ,  张石磊 ,  刘洋 ,  张静言 ,  滕蛟 ,  冯春

IPC: H01L43/10

Abstract: 本发明涉及磁性功能薄膜和以磁性多层膜材料为基础的新型材料及其元器件。一种霍尔自旋天平材料，所述材料包括多层薄膜，由两个具有垂直磁各向异性的磁性层，中间被非磁性绝缘层隔离所组成；其中一磁性层被反铁磁层钉扎，另外一磁性层与一功能层相连；材料制成Hallbar的形状。此发明保留了MTJ的优点，以低成本实现NVM，并具有与晶体管媲美的状态变化比率，能够实现3D存储阵列，且具有复杂逻辑处理的能力。解决了NVM现存的主要问题。

公开(公告)号：CN102024904A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010500518.3

申请日：2010-09-30

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张石磊 ,  滕蛟 ,  于广华

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14

Abstract: 本发明设计内容为一种高灵敏度金属霍尔传感器薄膜材料及制备方法，涉及磁性薄膜材料。发明设计的薄膜材料结构为：绝缘层/Pt1/[Co/Pt2]n/绝缘层。此结构材料具有很强的霍尔信号，通过优化各层厚度并将其加工成磁场传感器元件后具有很高的磁场灵敏度。该发明的主要优点是设计的材料制备工艺简单，磁场感应范围大，磁场灵敏度提高明显，优化的磁场灵敏度高于现今报道的最高的金属霍尔传感器的灵敏度；并且电阻率低，响应频率宽；同时克服了以往材料体系中霍尔信号低，各向异性不易调整的缺点。因此，该材料可以用于制作高灵敏度霍尔传感器。

公开(公告)号：CN102024904B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201010500518.3

申请日：2010-09-30

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张石磊 ,  滕蛟 ,  于广华

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14

Abstract: 本发明为一种高灵敏度金属霍尔传感器薄膜材料及制备方法，涉及磁性薄膜材料。发明设计的薄膜材料结构为：绝缘层/Pt1/[Co/Pt2]n/绝缘层。此结构材料具有很强的霍尔信号，通过优化各层厚度并将其加工成磁场传感器元件后具有很高的磁场灵敏度。该发明的主要优点是设计的材料制备工艺简单，磁场感应范围大，磁场灵敏度提高明显，优化的磁场灵敏度高于现今报道的最高的金属霍尔传感器的灵敏度；并且电阻率低，响应频率宽；同时克服了以往材料体系中霍尔信号低，各向异性不易调整的缺点。因此，该材料可以用于制作高灵敏度霍尔传感器。