-
公开(公告)号：CN1344810A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01141978.4
申请日：2001-09-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备碳化硅颗粒增强二硅化钼基复合材料的原位复合方法,主要通过控制原位复合工艺参数,消除Mo、Si和C三元素粉末之间的低温固一固反应,而利用它们之间的固－液反应原位合成MoSi2－SiC复合粉末,并用二次热压致密该MoSi2－SiC复合粉末,来制备界面洁净、无SiO2玻璃相和Mo5Si3,Mo≤5Si3C≤1等其他过渡相、细小弥散SiC颗粒增强MoSi2两相复合材料。使该复合材料在不降低MoSi2抗高温氧化性的前提下,最大限度地改善MoSi2－SiC复合材料的低温和高温力学性能,并且工艺易于控制、设备简单。
Search Results
1
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
