一种缺陷富集的TiO2纳米片一维多级结构的制备方法

    公开(公告)号:CN110589885B

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN201910961851.5

    申请日:2019-10-11

    Abstract: 本发明公开了一种缺陷富集的TiO2纳米片一维多级结构的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。所述方法包括:取二氧化钛粉末、水、氢氧化钠/氢氧化钾置于反应釜中;超声30min后水热条件下反应,得到缺陷富集的钛酸盐多级纳米片结构;用去离子水将前一步骤得到产物冲洗至溶液PH值等于7,干燥后将该产物放入管式炉中煅烧,得到缺陷富集的TiO2多级纳米片结构。应用本发明的方法能够廉价、稳定地得到缺陷富集的TiO2多级纳米片结构。本方法条件温和,重复性极好,工艺简单、可控,制得的产物纯度高。

    一种缺陷富集的TiO2纳米片一维多级结构的制备方法

    公开(公告)号:CN110589885A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910961851.5

    申请日:2019-10-11

    Abstract: 本发明公开了一种缺陷富集的TiO2纳米片一维多级结构的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。所述方法包括:取二氧化钛粉末、水、氢氧化钠/氢氧化钾置于反应釜中;超声30min后水热条件下反应,得到缺陷富集的钛酸盐多级纳米片结构;用去离子水将前一步骤得到产物冲洗至溶液PH值等于7,干燥后将该产物放入管式炉中煅烧,得到缺陷富集的TiO2多级纳米片结构。应用本发明的方法能够廉价、稳定地得到缺陷富集的TiO2多级纳米片结构。本方法条件温和,重复性极好,工艺简单、可控,制得的产物纯度高。

Patent Agency Ranking