公开(公告)号：CN101475151A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200810117602.X

申请日：2008-08-01

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 朱鸿民 ,  杨梅 ,  吕明利 ,  邱海龙

IPC: C01B21/076 ,  C01B21/068 ,  C04B35/628 ,  C04B35/58 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于导电复合陶瓷领域，涉及一种导电氮化钛/氮化硅纳米复合材料的制备方法，其特征在于低温液相条件下以四氯化钛(TiCl4)和四氯化硅(SiCl4)为原料，在－50℃～20℃温度范围，二者同时被还原，直接得到TiN/Si3N4共沉淀型复合粉体；该复合粉体能够在氮化硅微米或亚微米颗粒的表面形核，直接制备出由纳米TiN和纳米Si3N4共同包覆的复合粉体。通过控制纳米复合粉末中TiN的含量，能够获得满足电火花加工(EDM)的纳米导电复合材料。本发明制备的氮化钛/氮化硅纳米复合材料成分均匀，颗粒细微，而且工艺简便，能耗低，具有推广前景。

公开(公告)号：CN101318637A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810116673.8

申请日：2008-07-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 朱鸿民 ,  杨梅 ,  吕明利 ,  邱海龙

IPC: C01B21/068 ,  C04B35/584

Abstract: 本发明提供了一种纳米氮化硅陶瓷粉体的制备方法，属纳米陶瓷材料领域。选择液氨作为反应介质，以卤化硅，包括氯化硅、溴化硅、碘化硅为原料，碱金属钾或钠为还原剂，二者分别溶解于液氨，在－60℃～20℃范围发生液相还原反应，产物经过洗涤提纯、热处理过程，制备出稳定的纳米氮化硅粉体。本发明目的在于采用液氨法低温合成纳米氮化硅陶瓷粉体，简化工艺，提高性能，降低成本，利用碱金属溶解于液氨形成液相强还原剂的特性，在低温条件下制备出比表面积大，纯度高，粒径均匀的纳米氮化硅陶瓷粉体。该粉体不需要任何烧结助剂就能够在较低温度下、短时间内制备获得致密的氮化硅陶瓷体。