公开(公告)号：CN117202765B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311397334.2

申请日：2023-10-26

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张静言 ,  窦鹏伟 ,  王守国 ,  冯量予 ,  邱全高

IPC: H10N52/85 ,  H10N52/01 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  C30B29/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/20 ,  C30B29/38 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明公开了一种降低自旋轨道矩临界电流密度的磁性多层膜及其制备方法，其结构包括：种子外延层、自旋流发生层、磁性核心层、金属功能层、氧化物功能层、顶层覆盖层；利用磁控溅射系统/分子束外延系统制备种子外延层、自旋流发生层、磁性核心层、金属功能层、氧化物功能层、顶层覆盖层；其中设置位置可调的楔形挡板附件制备自旋流发生层、金属功能层；制备种子层时，控制腔室真空度在1.0×10‑6～7.0×10‑7 Pa，温度为25℃至220℃。本发明通过该方法制备的磁性多层膜方式简易经济，可稳定降低自旋轨道矩诱导磁化翻转的临界电流密度，从而降低能量消耗。

公开(公告)号：CN117202765A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311397334.2

申请日：2023-10-26

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张静言 ,  窦鹏伟 ,  王守国 ,  冯量予 ,  邱全高

IPC: H10N52/85 ,  H10N52/01 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  C30B29/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/20 ,  C30B29/38 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明公开了一种降低自旋轨道矩临界电流密度的磁性多层膜及其制备方法，其结构包括：种子外延层、自旋流发生层、磁性核心层、金属功能层、氧化物功能层、顶层覆盖层；利用磁控溅射系统/分子束外延系统制备种子外延层、自旋流发生层、磁性核心层、金属功能层、氧化物功能层、顶层覆盖层；其中设置位置可调的楔形挡板附件制备自旋流发生层、金属功能层；制备种子层时，控制腔室真空度在1.0×10‑6～7.0×10‑7 Pa，温度为25℃至220℃。本发明通过该方法制备的磁性多层膜方式简易经济，可稳定降低自旋轨道矩诱导磁化翻转的临界电流密度，从而降低能量消耗。