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公开(公告)号：CN111394097B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202010187836.2
申请日：2020-03-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+掺杂的锂铟锗酸盐近红外发光材料及其制备方法，属于近红外发光材料技术领域。其化学通式为：LiIn1‑x‑yMyGe2O6：xCr3+，其中:M为Sc、Ga元素中的一种或多种，0.01mol%≤x≤20mol%，0≤y≤0.5。所述的近红外发光材料中，LiIn1‑x‑yMyGe2O6：xCr3+属于斜方晶系，具有与LiInGe2O6相同类型空间晶体结构。本发明材料激发光谱较宽，激发波长在250‑850 nm范围内，包括紫外不可见以及可见波长范围，其发射波长范围为700‑1200 nm。该发明与蓝光LED芯片匹配可制用于造宽谱近红外光源，应用于植物照明、生物探针等领域。本发明制备工艺简单，原料价格低廉，易于合成。
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公开(公告)号：CN111394097A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010187836.2
申请日：2020-03-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+掺杂的锂铟锗酸盐近红外发光材料及其制备方法，属于近红外发光材料技术领域。其化学通式为：LiIn1-x-yMyGe2O6：xCr3+，其中:M为Sc、Ga元素中的一种或多种，0.01mol%≤x≤20mol%，0≤y≤0.5。所述的近红外发光材料中，LiIn1-x-yMyGe2O6：xCr3+属于斜方晶系，具有与LiInGe2O6相同类型空间晶体结构。本发明材料激发光谱较宽，激发波长在250-850 nm范围内，包括紫外不可见以及可见波长范围，其发射波长范围为700-1200 nm。该发明与蓝光LED芯片匹配可制用于造宽谱近红外光源，应用于植物照明、生物探针等领域。本发明制备工艺简单，原料价格低廉，易于合成。
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公开(公告)号：CN111378445A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010194099.9
申请日：2020-03-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+掺杂的近红外宽谱发光材料以及制备方法，属于近红外发光材料技术领域。化学通式为：Ca3Y2-xGe3O12：xCr3+，其中：0.01mol％≤x≤20mol％。所述的近红外发光材料属于立方晶系，具有与Ca3Y2Ge3O12相同的石榴石类型空间晶体结构，空间群为Ia3d，Ca2+占据其中十二面体八配位，Y3+占据八面体六配位，Ge4+占据四面体四配位。本发明材料激发光谱较宽，最佳激发波长在400-550nm范围内，其发射波长范围700-1200nm。与蓝光LED芯片匹配，可制造宽谱近红外光源，应用于植物照明、生物探针以及军事领域等。本发明制备工艺简单，原料价格低廉，易于合成。
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