竖直石墨烯及其生长方法

    公开(公告)号:CN110950329A

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201911171480.7

    申请日:2019-11-26

    Abstract: 本公开提供一种竖直石墨烯及其生长方法,该竖直石墨烯的生长方法包括:提供一基底,所述基底置于反应腔室;通入碳源并额外引入竖直方向的电场于所述反应腔室,以在所述基底表面进行气相沉积反应生长竖直石墨烯。通过向气相沉积反应体系引入竖直电场,使石墨烯可以严格沿竖直方向生长,得到完全垂直于基底的竖直石墨烯。该方法简单、高效,可实现快速生长竖直石墨烯。

    一种连续放量制备粉体石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN110451496A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910875607.7

    申请日:2019-09-17

    Abstract: 本发明提供一种连续放量制备粉体石墨烯的方法,包括:S1,向微波等离子体化学气相沉积系统中通入惰性气体以产生等离子体;S2,向微波等离子体化学气相沉积系统中通入碳源进行粉体石墨烯的气相生长;S3,停止通入碳源,并通入刻蚀剂刻蚀所述微波等离子体化学气相沉积系统中残留的石墨烯;以及S4,重复步骤S1-S3,以实现粉体石墨烯的连续放量制备。本发明的方法可实现粉体石墨烯的长时间不间断制备,获得的粉体石墨烯品质高,纯度高,含氧量低,且为100%的尺寸在300nm以下的片层石墨烯,有利于石墨烯片的连续化和批量化制备,具有极大的应用前景。

    一种连续放量制备粉体石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN110451496B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN201910875607.7

    申请日:2019-09-17

    Abstract: 本发明提供一种连续放量制备粉体石墨烯的方法,包括:S1,向微波等离子体化学气相沉积系统中通入惰性气体以产生等离子体;S2,向微波等离子体化学气相沉积系统中通入碳源进行粉体石墨烯的气相生长;S3,停止通入碳源,并通入刻蚀剂刻蚀所述微波等离子体化学气相沉积系统中残留的石墨烯;以及S4,重复步骤S1‑S3,以实现粉体石墨烯的连续放量制备。本发明的方法可实现粉体石墨烯的长时间不间断制备,获得的粉体石墨烯品质高,纯度高,含氧量低,且为100%的尺寸在300nm以下的片层石墨烯,有利于石墨烯片的连续化和批量化制备,具有极大的应用前景。

    竖直石墨烯的生长装置
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN211078480U

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201922062071.5

    申请日:2019-11-26

    Abstract: 提供一种竖直石墨烯的生长装置,该装置包括反应腔室、支架和上、下电极板,其中反应腔室用于进行气相沉积反应,反应腔室包括进气端和封闭端,封闭端设有开设至少两个通孔的封闭部;支架包括相对的两个侧板和连接两个侧板的底座,两个侧板上设有承载组件,承载组件包括相对设置的两个承载块;下电极板放置于底座上,上电极板放置于承载组件上,以使上电极板和下电极板之间具有间距,上电极板和下电极板分别连接有导线,导线通过通孔连接电源,以使上电极板和下电极板之间形成竖直方向的电场。通过向气相沉积反应体系引入竖直电场,使石墨烯可以严格沿竖直方向生长,得到完全垂直于基底的竖直石墨烯。

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