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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118288655A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410585241.0
申请日：2024-05-11
Abstract: 本发明公开一种热管理复合材料及其制备方法和应用。所述热管理复合材料包括依次层叠设置垂直石墨烯层、蒙烯玻璃纤维层和聚丙烯腈纳米纤维层。本发明通过材料选择和结构设计，发明了一种双功能辐射热管理材料，同时实现了辐射制冷与光热转换功能。该材料可同时调控其对太阳光的吸收与红外光的发射，并且制备工艺可批量化，材料柔性良好，可满足大部分应用场景的需求。
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公开(公告)号：CN118147603A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410288656.1
申请日：2024-03-13
IPC: C23C16/26 , C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种石墨烯薄膜及其制备方法和制备装置。所述制备装置包括用于放置基底的载体和设置在所述载体上方的矫正板，所述矫正板与所述载体之间在沿碳源气体的流动方向的角度θ可调节。本发明通过在气相沉积中设置夹角可变的矫正板与载体，可以解决在放大生产过程中基底沿气流方向的尺寸增长带来的不均匀性问题，实现了大尺寸高质量高均匀性石墨烯薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN118814133A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411208883.5
申请日：2024-08-30
Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积装置及化学气相沉积方法，涉及石墨烯制备技术领域。该化学气相沉积装置包括反应腔室和第一加热组件，反应腔室用于容纳第一生长基底，第一生长基底为导体；第一加热组件包括电极，电极设置于反应腔室，用于电连接第一生长基底，使第一生长基底自发热至预设化学气相沉积温度。基于电能转化为热能的特性，在电极通电后能够对具有导电能力的第一生长基底直接加热，有效提高升温速率，提升制备效率；同时，该加热方式使得只有第一生长基底的表面温度高，而反应腔室的外壁温度比较低，使反应腔室中具有更高的生长温度梯度，能够减少气相加热带来的能源浪费和气相污染，有效提高加热均匀性与石墨烯的质量。
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公开(公告)号：CN119082695A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411216737.7
申请日：2024-08-30
Abstract: 本发明公开一种化学气相沉积方法，在绝缘基底表面包覆导电薄膜，得到导电复合材料；采用导电复合材料作为生长基底，使得所述生长基底通电自发热至生长温度，沉积生长客体材料。本发明的方法通过在绝缘基底表面包覆导电薄膜，使其具备导电性能，从而实现后续的通电自发热。进一步的，通过对基底原位加热，使得仅基底表面温度高，可以减少前驱体(例如碳源)裂解副产物的污染提高客体材料的质量，同时可以实现在石英管中更高的升温速率(400‑1400℃/s)、生长温度(大于1100℃)，提高客体材料的生长速率和结晶质量。本发明的方法直接对基底加热避免了间接加热导致的加热不均匀，显著提高客体材料的结晶质量。
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公开(公告)号：CN115010124A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210686941.X
申请日：2022-06-16
IPC: C01B32/194 , C01B32/198 , C01B32/174 , C01B32/15
Abstract: 本发明提供一种调控烯碳材料红外发射率的方法及应用，通过对烯碳材料进行掺杂来调控烯碳材料的红外发射率。本发明提出的一种调控烯碳材料红外发射率的方法有望适应烯碳材料在不同场景中的应用，同时推动烯碳在材料发射率标定等新型领域的应用。
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