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    一种低温制备TiB2-TiC-TiB复合陶瓷的方法
    1.
    发明公开
    一种低温制备TiB2-TiC-TiB复合陶瓷的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117586025A

    公开(公告)日：2024-02-23

    申请号：CN202311644718.X

    申请日：2023-12-04

    Applicant: 北京理工大学 ,  北京理工大学唐山研究院

    Inventor： 张朝晖 ,  程兴旺 ,  刘罗锦 ,  熊志平 ,  张洪梅

    IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

    Abstract: 本发明涉及一种低温制备TiB2‑TiC‑TiB复合陶瓷的方法，属于复合材料领域。该方法选用TiB2，TiC，Ti，Y2O3混合粉末为原料，Y2O3和Al2O3(或Al(OH)3)为烧结助剂，采用放电等离子烧结系统进行烧结，使TiB2‑TiC‑TiB复合陶瓷能在较低的烧结温度实现致密化，烧结得到的TiB2‑TiC‑TiB复合陶瓷致密化温度低，致密度高，硬度高，韧性好，具有优良的综合性能；所述TiB2基复合陶瓷致密度达99.1％，维氏硬度值达25Gpa，弯曲强度值达647MPa，断裂韧性值达6.3MPa·m1/2。具有极大应用前景。

    一种轻质钛基高熵合金及其性能优化方法
    2.
    发明公开
    一种轻质钛基高熵合金及其性能优化方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116607049A

    公开(公告)日：2023-08-18

    申请号：CN202310589189.1

    申请日：2023-05-24

    Applicant: 北京理工大学 ,  北京理工大学唐山研究院

    Inventor： 张朝晖 ,  程兴旺 ,  何杨宇 ,  刘娅 ,  冯向向 ,  刘罗锦 ,  贾晓彤 ,  贾兆虎 ,  王强 ,  周朗

    IPC: C22C14/00 ,  C22F1/18 ,  C22C1/02

    Abstract: 本发明涉及一种轻质钛基高熵合金及其性能优化方法，特别涉及一种通过热变形工艺细化晶粒尺寸增强轻质钛基高熵合金性能的方法，属于高熵合金领域。为了兼顾强度、塑性和密度，该新型合金由Ti、Al、Cr、Mg四种元素组成，通过真空感应熔炼得到铸态合金锭。铸态条件下，该合金由BCC单相组成，平均晶粒尺寸约380μm，在室温下其压缩屈服强度为1.15GPa，断裂应变＞50％，拉伸屈服强度为1.02GPa，延伸率约为5.5％。对铸锭进行切割后，在900℃‑1000℃下进行70‑90％的热轧处理，后在450℃‑550℃下进行60‑120min保温处理。本发明采用热变形方法打碎原始大尺寸晶粒并进行再结晶退火使破碎晶粒重新形核生长，得到平均尺寸约20μm的新晶粒，从而获得具有高强度高硬度和良好塑性的轻质高熵合金。

    一种碳化硅陶瓷制备方法
    5.
    发明公开
    一种碳化硅陶瓷制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN119039004A

    公开(公告)日：2024-11-29

    申请号：CN202411155108.8

    申请日：2024-08-22

    Applicant: 北京理工大学唐山研究院 ,  北京理工大学

    Inventor： 张朝晖 ,  程兴旺 ,  周金朝 ,  贾晓彤 ,  刘罗锦 ,  王强

    IPC: C04B35/575 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明提供了一种碳化硅陶瓷制备方法。所述方法包括以下步骤：1)主原料的配置：主原料包括以下成分：微米级α‑碳化硅球形粉，质量比占碳化硅2.5％‑10％的聚碳硅烷粉末；2)浆料制备：将聚碳硅烷粉末加入到丁醚溶剂中，在磁力搅拌下制备聚碳硅烷溶液，再将碳化硅粉加入到聚碳硅烷溶液中继续磁力搅拌，获得混合浆料；3)旋转蒸发干燥：将在步骤(2)所得的混合浆料进行旋转蒸发干燥，制备获得陶瓷粉；4)放电等离子烧结：将在步骤(3)所得的陶瓷粉进行放电等离子烧结，得到碳化硅陶瓷。本发明通过直接烧结原位自生成纳米碳化硅晶粒，可以获得性能好的致密碳化硅陶瓷。该工艺步骤简单、流程短、操作方便，有效降低了成本，适用于工业化生产。

    一种轻质高熵合金及其制备方法
    7.
    发明公开
    一种轻质高熵合金及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116837252A

    公开(公告)日：2023-10-03

    申请号：CN202310874954.4

    申请日：2023-07-17

    Applicant: 北京理工大学 ,  北京理工大学唐山研究院

    Inventor： 张朝晖 ,  程兴旺 ,  何杨宇 ,  刘一帆 ,  冯向向 ,  刘娅 ,  刘罗锦 ,  贾晓彤 ,  王强

    IPC: C22C14/00 ,  C22C1/02

    Abstract: 本发明中公开了一种轻质高熵合金，所述合金组成为TiaAlbCrcFed，所述合金由Ti、Al、Cr、Fe四种元素组成，所述a、b、c、d分别表示Ti、Al、Cr、Fe四种元素的原子百分比，所述a为60～80％，b为10～20％，c为5～15％，d为1～10％，所述a、b、c、d之和为100，其中b＞c≥d；所述合金为BCC固溶体单相。本发明的轻质高熵合金与传统轻质合金的TC4相比，其密度基本保持不变，压缩屈服强度提升37％，硬度提升约43％，同时仍然保持较好的塑性变形能力；且制备方法简单，铸造过程成型效率高，在航空航天和军事装甲领域具有广泛的应用前景。

    一种纯碳化硅陶瓷的表面腐蚀方法
    8.
    发明公开
    一种纯碳化硅陶瓷的表面腐蚀方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN119043852A

    公开(公告)日：2024-11-29

    申请号：CN202411154610.7

    申请日：2024-08-22

    Applicant: 北京理工大学唐山研究院 ,  北京理工大学

    Inventor： 张朝晖 ,  程兴旺 ,  周金朝 ,  贾晓彤 ,  刘罗锦 ,  王强

    IPC: G01N1/32 ,  G01N1/34 ,  G01N1/28 ,  G01N21/01 ,  B24B27/033 ,  B24B45/00 ,  B24B57/02 ,  C04B41/91 ,  C04B35/575

    Abstract: 本发明提供一种纯碳化硅陶瓷的表面腐蚀方法，包括：1)纯碳化硅陶瓷烧结：将碳化硅粉装入石墨模具中，再进行放电等离子烧结，烧结后随炉冷却，得到样品；2)碳化硅陶瓷表面处理：用金刚石砂盘对碳化硅陶瓷样品进行磨抛，再使用涂覆金刚石研磨膏的抛光绒布抛光至样品表面呈镜面；3)碳化硅陶瓷表面腐蚀：将装有Murakami’s试剂的容器置于加热平台上加热至设定温度，保温；将碳化硅样品放入试剂中腐蚀；腐蚀后对样品先用去离子水清洗，再用无水酒精清洗后烘干；也可将样品与腐蚀剂直接放一起加热，保温腐蚀，腐蚀后对样品先用去离子水清洗，再用无水酒精清洗后烘干。本发明操作简单，安全，所需时间短，腐蚀出的碳化硅陶瓷晶粒明显，晶界清晰。

    一种BCC单相轻质高熵合金及其制备方法
    10.
    发明公开
    一种BCC单相轻质高熵合金及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116623038A

    公开(公告)日：2023-08-22

    申请号：CN202310589892.2

    申请日：2023-05-24

    Applicant: 北京理工大学 ,  北京理工大学唐山研究院

    Inventor： 张朝晖 ,  程兴旺 ,  何杨宇 ,  冯向向 ,  刘娅 ,  刘罗锦 ,  贾晓彤 ,  贾兆虎 ,  王强 ,  周朗

    IPC: C22C14/00 ,  C22C1/02

    Abstract: 本发明公开了一种BCC单相轻质高熵合金及其制备方法，特别涉及一种TiAlCrMg系轻质高熵合金材料及其制备方法。本发明设计了一种高强度高塑性的轻质高熵合金，由TiaAlbCrcMgd组成，其中a的原子百分比为55‑80％，b的原子百分比为10‑20％，c的原子百分比为5‑15％，d的原子百分比0‑15％，其中b＞c≥d，a+b+c+d＝100％。该合金密度在3.8‑4.4g/cm3之间。其室温下压缩屈服强度在1.15GPa左右，断裂应变大于50％，室温下拉伸屈服强度在1.02GPa左右，断裂应变5.5％左右。本发明得到的轻质高熵合金具有高强度高硬度和良好的塑性，以及比常用的轻质合金更高的比强度比硬度，因此可以替代轻质合金尤其是TC4钛合金，用于军事装甲防护材料和航空航天领域的结构件，从而实现减重、增强和节能的目标。

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