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公开(公告)号：CN113328249A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110429839.7
申请日：2021-04-21
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种超宽带探测目标信息的天线系统，包括底层的金属层、中层介质基底结构及设置在中层介质基底结构上表面的金属结构和器件，所述金属结构包括第一金属环及第二金属环，所述器件包括电池、开关、放大器以及三个不同容值的滤波电容；所述底层的金属层包括L形金属条和两个π形结构，其中，L形金属条上设置有两个方形凸块，两个π形结构的凹槽分别正对两个方形凸块；本发明能够在较宽的工作频带内实现增强RCS，在一个有限的空间中很好地实现接收天线与发射天线之间的去耦。
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公开(公告)号：CN112563690A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011295115.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种种可编码太赫兹移相器及设计方法，能够通过编码电路实现移相器相位变化幅度的改变。该装置包括电磁带隙金属波导腔体、芯片和控制电路。本发明首先确定移相器的频率范围并设计空气腔的尺寸；接着进行周期性长方体金属柱的参数设计；在空气腔体上方挖出高度为h_stub，长度l_stub，宽度为w_stub的波导短路负载；芯片放置于负载处，令硅衬底镶嵌于负载两侧，百叶窗覆盖硅衬底，并延伸覆盖波导短路负载；将直流引线从周期性金属柱体的间隙中引出，连接至芯片的边界的焊盘处；将直流引线连接至PCB板上的引脚处，通过控制对各个引脚加馈电信号实现对太赫兹移相器的各个百叶窗的开和关的切换，从而改变相位变化幅度。
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公开(公告)号：CN112530910A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011295106.0
申请日：2020-11-18
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于芯片三维封装的金属波导装置及其设计方法，解决了利用在波导屏蔽腔体外部直流电路对集成封装于金属波导内部的芯片进行集成、控制的问题，并降低了传输中的电磁波损耗。本发明先确定该芯片工作的频率范围，根据此设计金属波导内部的空气腔的尺寸；接着设计电磁带隙波导结构的参数，包括周期性长方形金属柱的高度h，底面边长w和周期距离p，使得在空腔里传播的电磁波无法从两侧泄露，且h与空气腔的高度一致，同时尺寸满足易于加工的要求；最后根据芯片的尺寸，在电磁带隙波导结构中的预留空槽中镶嵌入芯片，并将芯片控制引线从空气腔内部途经周期性长方形金属柱之间的空隙引出，连接至PCB控制电路板上。
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公开(公告)号：CN113067157B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202110320862.2
申请日：2021-03-25
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了基于深度强化学习的共形相控阵天线设计系统及设计方法，本发明利用深度强化学习强大的学习能力，通过逆向训练使得共形天线阵列的辐射性能达到目标值，大大简化了阵列天线在复杂共形环境下的设计复杂度，且可以忽略各路信号之间的相位不一致性，使得后期调试和校准工作难度得以显著降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112530910B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202011295106.0
申请日：2020-11-18
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于芯片三维封装的金属波导装置及其设计方法，解决了利用在波导屏蔽腔体外部直流电路对集成封装于金属波导内部的芯片进行集成、控制的问题，并降低了传输中的电磁波损耗。本发明先确定该芯片工作的频率范围，根据此设计金属波导内部的空气腔的尺寸；接着设计电磁带隙波导结构的参数，包括周期性长方形金属柱的高度h，底面边长w和周期距离p，使得在空腔里传播的电磁波无法从两侧泄露，且h与空气腔的高度一致，同时尺寸满足易于加工的要求；最后根据芯片的尺寸，在电磁带隙波导结构中的预留空槽中镶嵌入芯片，并将芯片控制引线从空气腔内部途经周期性长方形金属柱之间的空隙引出，连接至PCB控制电路板上。
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公开(公告)号：CN112952391B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011298135.2
申请日：2020-11-18
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种具有超宽入射角稳定性的频率选择表面及其设计方法，能够在各个斜入射角度实现结构等效阻抗与空气阻抗匹配，从而实现了从0°到80°斜入射角度范围内均保持稳定的传输响应。本发明提出的频率选择表面包括介质板、位于介质板上表面的谐振结构、位于介质板下表面的馈电结构和连通介质板上下表面的金属通孔。本发明根据空气阻抗确定结构的等效阻抗满足的条件，求出μt和εt需满足的条件；设计位于介质板上表面的谐振结构的参数；将正方形金属贴片分成两个等大的长方形金属贴片，并在其中间嵌入变容二极管，在介质底部添加馈电线路，通过金属通孔连接至上层的变容二极管两侧，并沿着与上层平行金属线垂直的方向分布。
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公开(公告)号：CN113328249B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110429839.7
申请日：2021-04-21
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种超宽带探测目标信息的天线系统，包括底层的金属层、中层介质基底结构及设置在中层介质基底结构上表面的金属结构和器件，所述金属结构包括第一金属环及第二金属环，所述器件包括电池、开关、放大器以及三个不同容值的滤波电容；所述底层的金属层包括L形金属条和两个π形结构，其中，L形金属条上设置有两个方形凸块，两个π形结构的凹槽分别正对两个方形凸块；本发明能够在较宽的工作频带内实现增强RCS，在一个有限的空间中很好地实现接收天线与发射天线之间的去耦。
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公开(公告)号：CN112563690B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202011295115.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种种可编码太赫兹移相器及设计方法，能够通过编码电路实现移相器相位变化幅度的改变。该装置包括电磁带隙金属波导腔体、芯片和控制电路。本发明首先确定移相器的频率范围并设计空气腔的尺寸；接着进行周期性长方体金属柱的参数设计；在空气腔体上方挖出高度为h_stub，长度l_stub，宽度为w_stub的波导短路负载；芯片放置于负载处，令硅衬底镶嵌于负载两侧，百叶窗覆盖硅衬底，并延伸覆盖波导短路负载；将直流引线从周期性金属柱体的间隙中引出，连接至芯片的边界的焊盘处；将直流引线连接至PCB板上的引脚处，通过控制对各个引脚加馈电信号实现对太赫兹移相器的各个百叶窗的开和关的切换，从而改变相位变化幅度。
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公开(公告)号：CN113067157A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110320862.2
申请日：2021-03-25
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了基于深度强化学习的共形相控阵天线设计系统及设计方法，本发明利用深度强化学习强大的学习能力，通过逆向训练使得共形天线阵列的辐射性能达到目标值，大大简化了阵列天线在复杂共形环境下的设计复杂度，且可以忽略各路信号之间的相位不一致性，使得后期调试和校准工作难度得以显著降低。
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