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公开(公告)号：CN116496472A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310256328.9
申请日：2023-03-16
Applicant: 北京理工大学
IPC: C08G61/12 , C07D307/36 , C07D307/58 , C08J5/18 , C08L65/00
Abstract: 本发明属于导电材料技术领域，具体涉及一种烷氧基呋喃共轭化合物及其制备方法、一种导电聚合物薄膜的制备方法。该烷氧基呋喃共轭化合物的结构式如式(I)所示，其中R每次出现时，相同或不同，各自独立地选自C1‑12烷基或n为大于等于2的正整数。该烷氧基呋喃共轭化合物的共轭主干整体具有非常高的电子云密度以及低的离子化能，易于掺杂，同时具有高的分子平面性，有利于分子堆积以及分子间电子传输。将该烷氧基呋喃共轭化合物与酸性非共轭柔性高分子掺杂能够产生稳定的极化子并表现出优异的成膜特性，具有高的电导率(最高为12.7S/cm)，远超目前报道的纯呋喃共轭化合物的导电性(通常
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