公开(公告)号：CN113690064B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202110754844.5

申请日：2021-07-02

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 李昕 ,  高艳君 ,  张少华 ,  郝志刚 ,  杨舜

IPC: H01G11/48 ,  H01G11/24 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明涉及一种具有可调N‑TM‑C异质结界面的超级电容器电极材料及其制备方法，属于超级电容器电极材料领域。本发明的电极材料包含一种过渡金属的碳化物和氮化物，构成N‑TM‑C异质结界面，过渡金属碳化物的质量含量为1‑99％，所述过渡金属氮化物的质量含量为1‑99％。所述的制备方法包括的原材料有：提供过渡金属源材料、碳源、氮源、调节异质结界面比例的材料和形成二维带孔片层结构的材料。且通过调控调节异质结界面比例而不改变材料形貌的材料的添加量，实现对二维非层状形貌的调控。本发明通过调节N‑TM‑C异质界面，调节异质结面内在电场，从而改善电解液离子扩散和吸附行为，提高超级电容器性能。

公开(公告)号：CN113690064A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110754844.5

申请日：2021-07-02

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 李昕 ,  高艳君 ,  张少华 ,  郝志刚 ,  杨舜

IPC: H01G11/48 ,  H01G11/24 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明涉及一种具有可调N‑TM‑C异质结界面的超级电容器电极材料及其制备方法，属于超级电容器电极材料领域。本发明的电极材料包含一种过渡金属的碳化物和氮化物，构成N‑TM‑C异质结界面，过渡金属碳化物的质量含量为1‑99％，所述过渡金属氮化物的质量含量为1‑99％。所述的制备方法包括的原材料有：提供过渡金属源材料、碳源、氮源、调节异质结界面比例的材料和形成二维带孔片层结构的材料。且通过调控调节异质结界面比例而不改变材料形貌的材料的添加量，实现对二维非层状形貌的调控。本发明通过调节N‑TM‑C异质界面，调节异质结面内在电场，从而改善电解液离子扩散和吸附行为，提高超级电容器性能。