-
公开(公告)号：CN101783667A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910077150.1
申请日：2009-01-16
Applicant: 北京理工大学
IPC: H03K17/687 , H01L27/092 , H01L23/522
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种互补金属氧化物半导体开关，包括：第一热阱P型管，所述第一热阱P型管的N阱与源极连接；第二热阱P型管，所述第二热阱P型管的N阱与源极连接，且所述第二热阱P型管的漏极与所述第一热阱P型管的漏极连接；以及N型管，所述N型管的源极与所述第一热阱P型管的源极连接，且所述N型管的漏极与所述第二热阱P型管的源极连接。在该CMOS开关断开时，由于引入了与电压降方向形成反向的PN结二极管，在该PN结二极管的N极接高电平时，该PN结二极管反向截止，从而提高了开关断开时的隔离性。因此在带有级联反馈系统的电路结构中，在开关断开时，能够很好的保持反馈信号点的电平，降低信号失真。
Search Results
1
records
(took 0.014 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
