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公开(公告)号：CN102205943A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110089421.2
申请日：2011-04-11
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅纳米结构的制备方法，以硅基片或SOI硅片作为衬底，根据所需要的单晶硅纳米结构在衬底上形成掩膜图形，掩膜图形线宽≤2μm；刻蚀形成微米级硅结构，然后对衬底进行氧化，在硅表面形成一层二氧化硅层；最后用氢氟酸溶液腐蚀掉二氧化硅层；由于氧化会消耗掉部分硅，因此可减小微米级硅结构线宽，得到单晶硅纳米结构。该发明利用普通光刻和热氧化相结合的方法制备单晶硅纳米结构，具有兼容性好、操作方便、成本低廉、便于大规模生产等优点，而且相对于现有的基于微机械加工工艺的纳米结构制备方法，拥有更好的线宽可控性。
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