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公开(公告)号：CN114231922B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202111441667.1
申请日：2021-11-30
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种VO2基多层薄膜结构和其产品的制备方法，涉及航天器热控技术领域。本发明设利用磁控溅射法，以(100)方向的单晶硅片为基底，依次采用金属钛靶、金属银靶、金属铝靶和金属钒靶制备所述VO2基多层薄膜结构。本发明制备的VO2基多层薄膜结构能够使智能热控辐射器件实现低温低热导率、高温高热导率和低太阳吸收率，并具有良好的热控性能和耐热震性能，其太阳光吸收率可达27.5％，在5‑15μm范围的积分发射率在室温和100℃分别为0.26和0.91，发射率调制幅度可达0.65。
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公开(公告)号：CN114231922A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111441667.1
申请日：2021-11-30
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种VO2基多层薄膜结构和其产品的制备方法，涉及航天器热控技术领域。本发明设利用磁控溅射法，以(100)方向的单晶硅片为基底，依次采用金属钛靶、金属银靶、金属铝靶和金属钒靶制备所述VO2基多层薄膜结构。本发明制备的VO2基多层薄膜结构能够使智能热控辐射器件实现低温低热导率、高温高热导率和低太阳吸收率，并具有良好的热控性能和耐热震性能，其太阳光吸收率可达27.5％，在5‑15μm范围的积分发射率在室温和100℃分别为0.26和0.91，发射率调制幅度可达0.65。
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公开(公告)号：CN114107902B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202111439250.1
申请日：2021-11-30
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种VO2基多层薄膜结构及其产品和应用，涉及航天器热控技术领域。本发明设计的VO2基多层薄膜结构，由内层向外层依次包括：高反射金属膜、红外透光介质膜和VO2膜。本发明还公开了一种航天器辐射热控器件，所述航天器辐射热控器件具有该VO2基多层薄膜结构。本发明设计的VO2基多层薄膜结构能够使智能热控辐射器件实现低温低热导率、高温高热导率和低太阳吸收率，并具有良好的热控性能和耐热震性能，其太阳光吸收率可达27.5％，在5‑15μm范围的积分发射率在室温和100℃分别为0.26和0.91，发射率调制幅度可达0.65。
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公开(公告)号：CN114107902A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111439250.1
申请日：2021-11-30
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种VO2基多层薄膜结构及其产品和应用，涉及航天器热控技术领域。本发明设计的VO2基多层薄膜结构，由内层向外层依次包括：高反射金属膜、红外透光介质膜和VO2膜。本发明还公开了一种航天器辐射热控器件，所述航天器辐射热控器件具有该VO2基多层薄膜结构。本发明设计的VO2基多层薄膜结构能够使智能热控辐射器件实现低温低热导率、高温高热导率和低太阳吸收率，并具有良好的热控性能和耐热震性能，其太阳光吸收率可达27.5％，在5‑15μm范围的积分发射率在室温和100℃分别为0.26和0.91，发射率调制幅度可达0.65。
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