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公开(公告)号：CN114702713A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210482036.2
申请日：2022-05-05
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铌酸银纤维掺杂聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法，涉及介质电容器领域，包括：将五氧化二铌添加到氢氧化钾溶液；加入乙醇；将六铌酸钾和水‑乙醇‑乙二醇混合；将K2Nb2O6·H2O添加到硝酸银溶液；将ANO分散在盐酸多巴胺溶液；将DA@ANO分散在N,N‑二甲基甲酰胺，将PVDF粉末溶解在分散体；将ANO纤维/PVDF共混液流延在高温玻璃基板上；对初始复合薄膜真空干燥，得到ANO纤维/PVDF复合薄膜。本发明通过添加乙二醇增大ANO纤维的长径比，并将ANO纤维引入PVDF基体中，形成具有低填充含量、高击穿场强、高能量密度的ANO纤维/PVDF复合薄膜，解决了高填充填料引起的薄膜缺陷问题。
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公开(公告)号：CN115506029A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211209318.1
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种通过纳米压痕/划痕调控拓扑铁电畴构型的方法，包括：原始片状单晶通过粘结剂固定于基底上；采用纳米压头在第一载荷下压入原始片状单晶的第一表面形成压痕；转移至加热台进行升温至80℃～120℃，将原始片状单晶与基底分离；将原始片状单晶转移至坩埚中，采用多晶粉末进行包埋，并将坩埚置于箱式炉内；将温度从室温升到1450℃～1500℃，保温5min～10min，对原始片状单晶进行热处理；恢复至室温，从坩埚中获取目标片状单晶，目标片状单晶的铁电畴在压痕附近呈六重对称涡旋型分布。通过室温下的纳米压痕/划痕在六角锰氧化物片状单晶中引入应力/应变，能够精确局域控制单晶自发形成的拓扑保护铁电畴构型。
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公开(公告)号：CN115506029B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202211209318.1
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种通过纳米压痕/划痕调控拓扑铁电畴构型的方法，包括：原始片状单晶通过粘结剂固定于基底上；采用纳米压头在第一载荷下压入原始片状单晶的第一表面形成压痕；转移至加热台进行升温至80℃～120℃，将原始片状单晶与基底分离；将原始片状单晶转移至坩埚中，采用多晶粉末进行包埋，并将坩埚置于箱式炉内；将温度从室温升到1450℃～1500℃，保温5min～10min，对原始片状单晶进行热处理；恢复至室温，从坩埚中获取目标片状单晶，目标片状单晶的铁电畴在压痕附近呈六重对称涡旋型分布。通过室温下的纳米压痕/划痕在六角锰氧化物片状单晶中引入应力/应变，能够精确局域控制单晶自发形成的拓扑保护铁电畴构型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114702713B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210482036.2
申请日：2022-05-05
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铌酸银纤维掺杂聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法，涉及介质电容器领域，包括：将五氧化二铌添加到氢氧化钾溶液；加入乙醇；将六铌酸钾和水‑乙醇‑乙二醇混合；将K2Nb2O6·H2O添加到硝酸银溶液；将ANO分散在盐酸多巴胺溶液；将DA@ANO分散在N,N‑二甲基甲酰胺，将PVDF粉末溶解在分散体；将ANO纤维/PVDF共混液流延在高温玻璃基板上；对初始复合薄膜真空干燥，得到ANO纤维/PVDF复合薄膜。本发明通过添加乙二醇增大ANO纤维的长径比，并将ANO纤维引入PVDF基体中，形成具有低填充含量、高击穿场强、高能量密度的ANO纤维/PVDF复合薄膜，解决了高填充填料引起的薄膜缺陷问题。
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公开(公告)号：CN109972198A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910391993.2
申请日：2019-05-13
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种片状锰酸铒单晶的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明方法具有操作简单，设备要求简单，成本低，生长周期短，无需处理即可得到整块自然生长的高质量单晶等优点。经本发明方法生长的锰酸铒单晶，化学组成表达为：ErMnO3，室温下晶体结构空间群为P63cm，形状呈薄片状，表面呈本征状态。本发明方法为ErMnO3多铁性单晶的实际应用提供一种切实可行地便捷生长方法。
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公开(公告)号：CN117711456A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311469247.3
申请日：2023-11-07
Applicant: 北京理工大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了磁斯格明子的擦写方法，包括提供样品，将样品放置于样品放置区；提供探针，将探针放置于探针夹持器上；采用针尖扫描样品，得到具有迷宫状磁畴的样品；采用加热器件加热和采用针尖扫描样品，升温期间迷宫状磁畴逐渐转化为磁斯格明子，所有迷宫状磁畴完全转化为磁斯格明子后磁斯格明子逐渐消失；采用针尖扫描样品同时降温处理，降温期间样品生成磁斯格明子，磁斯格明子逐渐形成晶格，晶格逐渐稳定并有序化，实现磁斯格明子的写入；移走探针，先采用加热器件加热样品，再对样品降温处理，磁斯格明子转变为迷宫状磁畴，实现磁斯格明子的擦除。本发明在特定区域精确生成磁斯格明子、操作简单、对工作过程中的配件装置要求不高。
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公开(公告)号：CN116631365A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310231547.1
申请日：2023-03-10
Applicant: 北京理工大学
IPC: G10K11/162 , G10K9/122
Abstract: 本发明公开了一种点阵压电超材料，在三维空间内，包括多个相互连接的单胞结构；单胞结构包括第一平面单元、第二平面单元和连接支柱；第一平面单元包括：第一甲支柱、第二甲支柱、第三甲支柱、第四甲支柱、第五甲支柱和第六甲支柱；第二平面单元包括第一乙支柱、第二乙支柱、第三乙支柱、第四乙支柱、第五乙支柱和第六乙支柱；相邻的单胞结构共用第一甲支柱、第三甲支柱、第四甲支柱、第六甲支柱、第一乙支柱、第三乙支柱、第四乙支柱和第六乙支柱，通过操纵三维点阵结构的几何参数，压电系数可以在从正值到负值的广泛范围内连续操纵；构建的超材料表现出理论上全部的力电耦合模式，即任意方向法向和剪切应力能产生所有方向的电学响应，反之亦然。
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公开(公告)号：CN113479936A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110917214.5
申请日：2021-08-11
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01G45/12
Abstract: 本发明公开了一种六角稀土锰酸盐片状单晶的制备方法，包括：将目标原材料置于研钵中，研磨成粉末状；目标原材料包括第一目标原材料和第二目标原材料；将粉末状目标原材料置于坩埚中，并置于箱式炉内；将箱式炉内的温度以120℃/h～190℃/h升温速度从室温升到1290℃～1340℃，保温6.5h～7.5h，熔融为液态；将箱式炉内的温度以1.6℃/h～1.8℃/h降温速度降到952℃～958℃，保温2.2h～2.8h，生长六角稀土锰酸盐片状单晶，并将该片状单晶与熔融的第二目标原料分离，待箱式炉内温度恢复到室温，从坩埚中获取上述片状单晶。本申请通过完整易操作的制备流程，获取高质量的六角稀土锰酸盐片状单晶。
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