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公开(公告)号:CN107814589B
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN201711027516.5
申请日:2017-10-27
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B41/87 , C04B35/58 , C04B35/628 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种氧化物原位包覆二硼化锆‑碳化硅团聚粉体的方法,属于复合粉体材料技术领域。所述方法是利用二硼化锆‑碳化硅团聚粉体在高温氧化环境下自氧化生成的氧化物实现对二硼化锆‑碳化硅团聚粉体原位包覆,制备得到具有核壳结构的复合粉体。采用所述方法制备的具有核壳结构的氧化物包覆二硼化锆‑碳化硅的球形度和致密度高,满足等离子喷涂对于粉体的要求;自氧化生成的氧化物包覆层可以抑制等离子喷涂过程中碳化硅的挥发,降低碳化硅的损失,而且氧化物的熔点低于硼化锆,粉体可以熔融的更加充分,进一步填充涂层中片层搭接造成的间隙、空位等缺陷,提高涂层的致密性。
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公开(公告)号:CN107814589A
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201711027516.5
申请日:2017-10-27
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B41/87 , C04B35/58 , C04B35/628 , C04B35/626
CPC classification number: C04B41/87 , C04B35/58078 , C04B35/62695 , C04B35/62823 , C04B41/507 , C04B2235/3826 , C04B41/5059 , C04B41/5042 , C04B41/4527
Abstract: 本发明涉及一种氧化物原位包覆二硼化锆-碳化硅团聚粉体的方法,属于复合粉体材料技术领域。所述方法是利用二硼化锆-碳化硅团聚粉体在高温氧化环境下自氧化生成的氧化物实现对二硼化锆-碳化硅团聚粉体原位包覆,制备得到具有核壳结构的复合粉体。采用所述方法制备的具有核壳结构的氧化物包覆二硼化锆-碳化硅的球形度和致密度高,满足等离子喷涂对于粉体的要求;自氧化生成的氧化物包覆层可以抑制等离子喷涂过程中碳化硅的挥发,降低碳化硅的损失,而且氧化物的熔点低于硼化锆,粉体可以熔融的更加充分,进一步填充涂层中片层搭接造成的间隙、空位等缺陷,提高涂层的致密性。
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公开(公告)号:CN108642428A
公开(公告)日:2018-10-12
申请号:CN201810318612.3
申请日:2018-04-11
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种除冰纯铜涂层,属于表面工程技术领域。所述纯铜涂层是采用电弧线材喷涂方法制备得到的,孔隙率低、与基底结合强度较高、电导率适中,通过外部的电源对所述纯铜涂层通电加热即可除去基底表面的积冰,该纯铜涂层作为除冰涂层使用具有发热效率高、发热均匀且结构简单的优点,适用于除去飞机机身上的积冰,尤其是对于玻璃纤维增强树脂材质的部件具有良好的除冰效果;另外,所述纯铜涂层的制备方法操作简单,稳定性和可控性高,适用于大型结构件的喷涂。
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