公开(公告)号：CN115101507B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202210670396.5

申请日：2022-06-14

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 赵修臣 ,  吴学峰 ,  熊子杉 ,  霍永隽

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及微电子封装技术、微机电系统封装技术以及三维集成技术封装领域，涉及一种晶圆级金属微凸点制备技术，具体是一种超窄节距(节距小于50μm)nt‑Cu/纳米复合Ag基微凸点互连结构及其制备方法。本发明的nt‑Cu/纳米复合Ag基微凸点与普通铜凸点相比，应力小，组织均匀、稳定，工艺简单，只需要控制复合凸点的尺寸和微观结构，就可以充分利用纳米孪晶铜的综合力学性能，从而获得具有高强度，高导电性能及高可靠性能的nt‑Cu/纳米复合Ag基微凸点互连结构。

公开(公告)号：CN115101507A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210670396.5

申请日：2022-06-14

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 赵修臣 ,  吴学峰 ,  熊子杉 ,  霍永隽

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及微电子封装技术、微机电系统封装技术以及三维集成技术封装领域，涉及一种晶圆级金属微凸点制备技术，具体是一种超窄节距(节距小于50μm)nt‑Cu/纳米复合Ag基微凸点互连结构及其制备方法。本发明的nt‑Cu/纳米复合Ag基微凸点与普通铜凸点相比，应力小，组织均匀、稳定，工艺简单，只需要控制复合凸点的尺寸和微观结构，就可以充分利用纳米孪晶铜的综合力学性能，从而获得具有高强度，高导电性能及高可靠性能的nt‑Cu/纳米复合Ag基微凸点互连结构。

公开(公告)号：CN115101506A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210669029.3

申请日：2022-06-14

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 赵修臣 ,  熊子杉 ,  吴学峰 ,  霍永隽

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种全金属凸点的互连结构及方法，属于集成电路半导体封装互连技术领域，尤其涉及一种三维封装中的全金属凸点固态互连结构，互连方法。该制备方法为在硅片上制备一层溅射层，使用纳米粒子复合电镀的方式电镀得到凸点和互连焊区金属，使用减层法在电镀层上制备出凸点和互连金属，使用热压超声焊在低温低压条件下进行互连。同时此系统中的凸点也可以换成银基固溶体合金金属。该结构具有良好的材料匹配性，并且互连过程中金属间化合物的生成促进了互连并得到具有高可靠的互连结构。