公开(公告)号：CN115616370A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211451751.6

申请日：2022-11-21

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 王亚斌 ,  朱晓宁 ,  刘扬 ,  王雨晴 ,  袁帅

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种MOS控制晶闸管在冲击环境下电参数的测试系统，包括：逻辑控制模块、冲击测试模块、测试电路模块和数据采集模块；逻辑控制模块与测试电路模块连接，逻辑控制模块用于控制测试电路模块的驱动以及控制MOS控制晶闸管的动态延时；冲击测试模块与数据采集模块连接，冲击测试模块用于模拟冲击环境；测试电路模块还与数据采集模块连接，测试电路模块用于控制MOS控制晶闸管的打开与关闭，并为MOS控制晶闸管提供试验电压；数据采集模块还与逻辑控制模块连接，数据采集模块用于采集试验过程中的试验数据。本发明测试可以将测试MOS控制晶闸管在冲击下的电压，电流特性，在不同强度的冲击过载下得到MOS控制晶闸管的电参数。

公开(公告)号：CN115616370B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211451751.6

申请日：2022-11-21

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 王亚斌 ,  朱晓宁 ,  刘扬 ,  王雨晴 ,  袁帅

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种MOS控制晶闸管在冲击环境下电参数的测试系统，包括：逻辑控制模块、冲击测试模块、测试电路模块和数据采集模块；逻辑控制模块与测试电路模块连接，逻辑控制模块用于控制测试电路模块的驱动以及控制MOS控制晶闸管的动态延时；冲击测试模块与数据采集模块连接，冲击测试模块用于模拟冲击环境；测试电路模块还与数据采集模块连接，测试电路模块用于控制MOS控制晶闸管的打开与关闭，并为MOS控制晶闸管提供试验电压；数据采集模块还与逻辑控制模块连接，数据采集模块用于采集试验过程中的试验数据。本发明测试可以将测试MOS控制晶闸管在冲击下的电压，电流特性，在不同强度的冲击过载下得到MOS控制晶闸管的电参数。

公开(公告)号：CN116362091A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310358184.8

申请日：2023-04-06

Applicant: 北京理工大学 ,  中国人民解放军96901部队24分队

Inventor： 汪德武 ,  王亚斌 ,  朱晓宁 ,  贺元吉 ,  江增荣 ,  陈华 ,  刘扬

IPC: G06F30/23 ,  G06T17/20 ,  G06F111/10 ,  G06F111/04

Abstract: 本发明提供了一种多层陶瓷电容在冲击环境下容值数值模拟求解方法，包括：构建MLCC的三维实体模型；对所述三维实体模型进行网格划分，构建有限元模型；利用LS‑DYNA对所述有限元模型进行冲击仿真分析，获取所述MLCC的变形云图；提取所述变形云图中板间距数据，获取所述MLCC的总电容值。本发明通过数值模拟方法模拟电容受到冲击，可以在不进行实验的情况下求得MLCC在不同冲击环境下的容值。

公开(公告)号：CN115575723A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211451736.1

申请日：2022-11-21

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 王亚斌 ,  朱晓宁 ,  刘扬 ,  袁帅 ,  程向群

IPC: G01R27/26

Abstract: 本发明涉及一种高压多层陶瓷电容在冲击环境下容值的测试系统，包括电容充放电模块、逻辑控制模块、冲击测试模块、数据采集模块，本发明设计了适用于动态冲击试验的电容动态测试系统，测试系统可以将电容加到任意可承受的电压，在不同强度的冲击过载下研究电容的放电特性；本发明充放电过程由控制模块下达指令控制，因此可以进行高压试验并且保障人员安全性。