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公开(公告)号：CN101740996A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910243142.X
申请日：2009-12-29
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01S3/0941 , H01S3/042
Abstract: 本发明是一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块，属于激光技术领域。本发明由半导体二极管阵列、2μm激光晶体、半导体二极管阵列热沉、激光晶体热沉和热沉反射面组成。半导体二极管阵列输出的泵浦光进入2μm激光晶体并被其吸收，未吸收尽的泵浦光被激光晶体热沉的表面所反射，再次进入2μm激光晶体获得再次吸收；激光晶体热沉的反射面上镀对泵浦光的高反膜，使用中该反射面与2μm激光晶体紧包接触，不但对2μm激光晶体进行传导冷却，还将未吸收完的泵浦光反射回2μm激光晶体，提高2μm激光晶体对于泵浦光的吸收，从而获得更大功率的2μm激光输出。
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