公开(公告)号：CN113444212A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110760530.6

申请日：2021-07-06

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 张文超 ,  张文远 ,  杨荣杰

IPC: C08F299/08 ,  C08K3/22 ,  C08F8/34 ,  C08L63/00 ,  C08L55/00 ,  C08K9/10 ,  C08J9/26

Abstract: 本发明涉及有机‑无机杂化材料技术领域，尤其涉及一种含羧基硅倍半氧烷包覆二氧化锆多孔聚合物及其制备方法和应用。本发明首先利用多乙烯基硅倍半氧烷在第一自由基引发剂和致孔剂的存在下在纳米二氧化锆表面发生聚合反应，得到含乙烯基硅倍半氧烷包覆二氧化锆聚合物，再利用巯基酸化合物与乙烯基发生点击反应，得到含羧基硅倍半氧烷包覆二氧化锆多孔聚合物。所述制备方法成功将含羧基硅倍半氧烷包覆在二氧化锆表面，改善了其团聚和孔隙结构差的问题。

公开(公告)号：CN109021032B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201811181255.7

申请日：2018-10-11

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 贺欢 ,  张文远 ,  顾钊 ,  郑英琦 ,  张天蔚

IPC: C07F19/00

Abstract: 一种稀土夹心型缺位Keggin多酸的单晶及制备方法，其分子式为CeO78Si2W22Na6H7，该晶体属单斜晶系，空间群P‑1，结构简式为H7Na6[Ce(SiW11O39)2]，晶胞参数：α＝98.937(2)°；β＝94.645(2)°；γ＝100.532(2)°.Z＝4，R1＝0.0612，wR2＝0.096。该晶体中W是六配位的,Si是四配位的，Ce是八配位的。晶胞非对称单元中具有2个Si，22个W，1个Ce原子，通过氧原子桥联，构成了一个稀土单夹心型Keggin型多酸结构。

公开(公告)号：CN109021032A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201811181255.7

申请日：2018-10-11

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 贺欢 ,  张文远 ,  顾钊 ,  郑英琦 ,  张天蔚

IPC: C07F19/00

Abstract: 一种稀土夹心型缺位Keggin多酸的单晶及制备方法，其分子式为CeO78Si2W22Na6H7，该晶体属单斜晶系，空间群P‑1，结构简式为H7Na6[Ce(SiW11O39)2]，晶胞参数：α＝98.937(2)°；β＝94.645(2)°；γ＝100.532(2)°.Z＝4，R1＝0.0612，wR2＝0.096。该晶体中W是六配位的,Si是四配位的，Ce是八配位的。晶胞非对称单元中具有2个Si，22个W，1个Ce原子，通过氧原子桥联，构成了一个稀土单夹心型Keggin型多酸结构。

公开(公告)号：CN113444212B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202110760530.6

申请日：2021-07-06

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 张文超 ,  张文远 ,  杨荣杰

IPC: C08F299/08 ,  C08K3/22 ,  C08F8/34 ,  C08L63/00 ,  C08L55/00 ,  C08K9/10 ,  C08J9/26

Abstract: 本发明涉及有机‑无机杂化材料技术领域，尤其涉及一种含羧基硅倍半氧烷包覆二氧化锆多孔聚合物及其制备方法和应用。本发明首先利用多乙烯基硅倍半氧烷在第一自由基引发剂和致孔剂的存在下在纳米二氧化锆表面发生聚合反应，得到含乙烯基硅倍半氧烷包覆二氧化锆聚合物，再利用巯基酸化合物与乙烯基发生点击反应，得到含羧基硅倍半氧烷包覆二氧化锆多孔聚合物。所述制备方法成功将含羧基硅倍半氧烷包覆在二氧化锆表面，改善了其团聚和孔隙结构差的问题。

公开(公告)号：CN110511383B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201910806352.9

申请日：2019-08-29

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 张文超 ,  张文远 ,  杨荣杰

IPC: C08G77/398 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明涉及金属高分子复合材料技术领域，提供了一种含锌多面体低聚倍半硅氧烷配位聚合物及其制备方法和应用。本发明首先在自由基引发剂引发下，使八乙烯基笼型低聚倍半硅氧烷与疏基羧酸化合物发生加成反应，得到八羧基笼型低聚倍半硅氧烷，然后利用配位原理，将其与锌离子进行配位，从而将笼型低聚倍半硅氧烷与锌元素连接起来，得到含锌多面体低聚倍半硅氧烷配位聚合物；并且本发明在配位过程采用乙酸锌与八羧基笼型低聚倍半硅氧烷反应，由于金属乙酸盐的存在，使反应体系对空气不敏感，不需要惰性气体保护，在常温常压下即可进行配位。本发明制备的含锌多面体低聚倍半硅氧烷配位聚合物具有发光性能，且热稳定性好。

公开(公告)号：CN110511383A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910806352.9

申请日：2019-08-29

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 张文超 ,  张文远 ,  杨荣杰

IPC: C08G77/398 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明涉及金属高分子复合材料技术领域，提供了一种含锌多面体低聚倍半硅氧烷配位聚合物及其制备方法和应用。本发明首先在自由基引发剂引发下，使八乙烯基笼型低聚倍半硅氧烷与疏基羧酸化合物发生加成反应，得到八羧基笼型低聚倍半硅氧烷，然后利用配位原理，将其与锌离子进行配位，从而将笼型低聚倍半硅氧烷与锌元素连接起来，得到含锌多面体低聚倍半硅氧烷配位聚合物；并且本发明在配位过程采用乙酸锌与八羧基笼型低聚倍半硅氧烷反应，由于金属乙酸盐的存在，使反应体系对空气不敏感，不需要惰性气体保护，在常温常压下即可进行配位。本发明制备的含锌多面体低聚倍半硅氧烷配位聚合物具有发光性能，且热稳定性好。