一种像素化转光层及其制备方法

    公开(公告)号:CN113410370B

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202010186060.2

    申请日:2020-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种像素化转光层及其制备方法,所述方法至少包括:获得含有像素槽的基板;将含有发光材料前驱体的溶液转移到基板的像素槽内,发光材料前驱体原位生成发光材料,得到填充发光材料的基板;在上述基板表面涂覆封装材料,得到像素化转光层。本发明只需将发光材料前驱体直接填入基板像素槽内,封装,即可实现钙钛矿纳米晶的像素化图案制备,省去了后续的打印和封装工序,降低了成本,得到的封装好的图案化钙钛矿纳米晶可以作为彩色转光层,低成本实现了显示器件的彩色化显示。本发明提供了一种新的面向显示的钙钛矿纳米晶图案化技术,无需配制专门的钙钛矿纳米晶墨水,也无需复杂的打印设备。

    基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112480915B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN201910863030.8

    申请日:2019-09-12

    Abstract: 本申请公开了一种基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜的制备方法。该制备方法至少包括以下步骤:S100、获得含有聚合物薄膜覆盖的基板;S200、将所述聚合物薄膜图形化;S300、在所述图形化的聚合物薄膜上沉积金属,得到聚合物填充的金属格栅图形衬底;S400、钙钛矿量子点前驱体嵌入所述金属格栅图形衬底的聚合物中,析出钙钛矿量子点,即可得到所述基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜。该方法可大面积、高分辨率、高重复性、低成本的制备稳定性良好,并可兼容传统半导体光刻工艺的钙钛矿量子点荧光复合功能薄膜,从而为制备光电探测器、相机模块、阵列激光器、多色显示和荧光防伪标识等器件提供了规模化生产的可行性。

    一种像素化转光层及其制备方法

    公开(公告)号:CN113410370A

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202010186060.2

    申请日:2020-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种像素化转光层及其制备方法,所述方法至少包括:获得含有像素槽的基板;将含有发光材料前驱体的溶液转移到基板的像素槽内,发光材料前驱体原位生成发光材料,得到填充发光材料的基板;在上述基板表面涂覆封装材料,得到像素化转光层。本发明只需将发光材料前驱体直接填入基板像素槽内,封装,即可实现钙钛矿纳米晶的像素化图案制备,省去了后续的打印和封装工序,降低了成本,得到的封装好的图案化钙钛矿纳米晶可以作为彩色转光层,低成本实现了显示器件的彩色化显示。本发明提供了一种新的面向显示的钙钛矿纳米晶图案化技术,无需配制专门的钙钛矿纳米晶墨水,也无需复杂的打印设备。

    在硫系玻璃表面加工微纳结构改善红外波段透过率的方法

    公开(公告)号:CN111175857B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201811331178.9

    申请日:2018-11-09

    Abstract: 本发明涉及一种在硫系玻璃表面加工微纳结构改善红外波段透过率的方法,属于红外光学玻璃加工及应用技术领域。该方法直接在硫系玻璃表面上制备折射率合适的微纳结构,避免引入新的膜材料,解决了传统镀制红外增透膜存在的多层膜膜材受限及膜层质量问题;该方法中采用的反应离子刻蚀主要是基于气体和硫系玻璃的化学反应,对聚合物涂层覆盖的部分不产生任何效应,避免了应力的产生,且是在常温以及真空状态下进行的,不会产生有毒成分的气化和泄露;该方法还可以实现非平面表面的微纳结构图案压印,拓展了大面积微纳加工的光学元件范畴,并且通过目标图形结构以及工艺参数的改变,可以实现硫系玻璃在红外各波段的高效增透。

    基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112480915A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN201910863030.8

    申请日:2019-09-12

    Abstract: 本申请公开了一种基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜的制备方法。该制备方法至少包括以下步骤:S100、获得含有聚合物薄膜覆盖的基板;S200、将所述聚合物薄膜图形化;S300、在所述图形化的聚合物薄膜上沉积金属,得到聚合物填充的金属格栅图形衬底;S400、钙钛矿量子点前驱体嵌入所述金属格栅图形衬底的聚合物中,析出钙钛矿量子点,即可得到所述基于钙钛矿量子点的图形化复合功能薄膜。该方法可大面积、高分辨率、高重复性、低成本的制备稳定性良好,并可兼容传统半导体光刻工艺的钙钛矿量子点荧光复合功能薄膜,从而为制备光电探测器、相机模块、阵列激光器、多色显示和荧光防伪标识等器件提供了规模化生产的可行性。

    在硫系玻璃表面加工微纳结构改善红外波段透过率的方法

    公开(公告)号:CN111175857A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201811331178.9

    申请日:2018-11-09

    Abstract: 本发明涉及一种在硫系玻璃表面加工微纳结构改善红外波段透过率的方法,属于红外光学玻璃加工及应用技术领域。该方法直接在硫系玻璃表面上制备折射率合适的微纳结构,避免引入新的膜材料,解决了传统镀制红外增透膜存在的多层膜膜材受限及膜层质量问题;该方法中采用的反应离子刻蚀主要是基于气体和硫系玻璃的化学反应,对聚合物涂层覆盖的部分不产生任何效应,避免了应力的产生,且是在常温以及真空状态下进行的,不会产生有毒成分的气化和泄露;该方法还可以实现非平面表面的微纳结构图案压印,拓展了大面积微纳加工的光学元件范畴,并且通过目标图形结构以及工艺参数的改变,可以实现硫系玻璃在红外各波段的高效增透。

    一种聚合物基功能薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN108676182A

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201810160814.X

    申请日:2018-02-27

    Abstract: 本发明提供了一种聚合物基功能薄膜及其制备方法,所述功能薄膜包括至少一层聚合物薄膜,且聚合物薄膜中的至少一层为含有纳米空腔的聚合物薄膜。该聚合物基功能薄膜通过在聚合物溶液中添加不同几何结构的纳米牺牲模板,成膜后再选择性的去除纳米牺牲模板,从而在聚合物薄膜中形成纳米空腔结构,本发明提供的聚合物基功能薄膜可以灵活改变聚合物薄膜的有效折射率,实现与器件的匹配,进而改善应用器件元件的光电性能。

Patent Agency Ranking