公开(公告)号：CN113113664B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202110255466.6

申请日：2021-03-09

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 赵永杰 ,  孙政 ,  王成志 ,  金海波

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/058 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明提供了一种改性NASICON型钠离子陶瓷电解质及其制备方法和应用。该改性NASICON型钠离子陶瓷电解质是通过在Na3Zr2Si2PO12陶瓷的晶界处连接低熔点硼氧化物而得到的。本发明通过将低熔点硼氧化物连接到Na3Zr2Si2PO12陶瓷的晶界处进行润湿，使得钠离子陶瓷电解质的致密度化烧结温度降低，同时，生成的改性NASICON型钠离子陶瓷电解质无杂相且钠离子电导率明显提升，对金属钠具有较低的界面电阻及优异的稳定性。

公开(公告)号：CN113113664A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110255466.6

申请日：2021-03-09

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 赵永杰 ,  孙政 ,  王成志 ,  金海波

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/058 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明提供了一种改性NASICON型钠离子陶瓷电解质及其制备方法和应用。该改性NASICON型钠离子陶瓷电解质是通过在Na3Zr2Si2PO12陶瓷的晶界处连接低熔点硼氧化物而得到的。本发明通过将低熔点硼氧化物连接到Na3Zr2Si2PO12陶瓷的晶界处进行润湿，使得钠离子陶瓷电解质的致密度化烧结温度降低，同时，生成的改性NASICON型钠离子陶瓷电解质无杂相且钠离子电导率明显提升，对金属钠具有较低的界面电阻及优异的稳定性。