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公开(公告)号:CN118940691A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202411088409.3
申请日:2024-08-09
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06F30/3308 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 一种基于残差网络模型的CMOS集约模型参数提取方法,利用蒙特卡罗方法生成足量参数集进行SPICE仿真,获得的模型训练数据集用于训练和验证残差网络模型。训练后的残差网络模型能够实现快速、精确的CMOS晶体管集约模型参数提取,克服手动拟合提取参数操作复杂、速度和精度低的缺陷。本发明的实现包括四个步骤:S1.利用蒙特卡罗方法生成CMOS集约模型参数集;S2.获得残差网络模型所需要的训练数据集;S3.训练残差网络模型;S4.利用残差网络模型提取集约模型参数。应用本发明可实现快速、精确的CMOS晶体管集约模型参数提取,有效解决手动拟合中的操作问题,有助于预测集成电路产品良率并缩短研发周期,为EDA软件的开发和完善提供帮助。
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公开(公告)号:CN118428302A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410622571.2
申请日:2024-05-20
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/27 , G06F18/2135 , G06N20/10 , G06F119/04
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,涉及一种基于PCA和KDE的CMOS集约模型的生成方法和平台,具体包括以下步骤:S1.关键参数提取;S2.捕获基础参数组特征;S3.实时生成模型。利用主成分分析和核密度估计的算法,分析所抽取集约模型基础参数组的值构成的矩阵,捕获该矩阵的主成分分布特征;根据所捕获的基础参数组特征,通过蒙特卡罗方法和主成分分析逆变换建立实时生成包含涨落、老化等统计量信息的无限新参数组的模块或模型。本发明解决了大规模集成电路设计中集约模型样例库有限导致的重复采样问题,且实时生成的参数组能够保持原有的参数分布和参数间相关性。
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