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公开(公告)号：CN108461876B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201810146835.6
申请日：2018-02-12
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于砷化镓工艺的介质集成波导滤波器，滤基于多模谐振腔研制而成，通过合理的设计多模谐振腔的尺寸可以使得电磁波在多模谐振腔内产生电磁相消现象，从而可以产生传输零点；通过采用改变腔体长宽比的技术手段，可以使得传输零点的位置变得可控，因而可以在滤波器在靠近通带的低端和高端分别设计一个传输零点，使得该滤波器具有高频率选择性；采用70um砷化镓工艺研制而成，两端均为GSG结构，该滤波器芯片可以与其他基于70um砷化镓工艺的W波段有源芯片集成；既可以采用芯片‑芯片的直接互联形式，也可以直接将该滤波器和其它芯片集成在同一个芯片上。
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公开(公告)号：CN108428975A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810146847.9
申请日：2018-02-12
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种基于介质集成波导异面馈电的内埋式W波段波导滤波器，谐振腔利用射频屏蔽盒的金属底板加工而成，内嵌于射频屏蔽盒的金属底板中，滤波器的上部馈电结构和下部馈电结构构成滤波器的封闭盖板；与传统的滤波器形式相比，本发明提出的滤波器利用金属屏蔽盒已有结构形成滤波器的主体部分，滤波器“藏”在金属底板内部，而不需要安装在金属底板上表面或下表面的电路板上，此时电路板上可以安装其他器件，大大节省了滤波器的安装空间，使得滤波器结构紧凑，有利于实现收发组件的小型化。
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公开(公告)号：CN108428975B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201810146847.9
申请日：2018-02-12
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种基于介质集成波导异面馈电的内埋式W波段波导滤波器，谐振腔利用射频屏蔽盒的金属底板加工而成，内嵌于射频屏蔽盒的金属底板中，滤波器的上部馈电结构和下部馈电结构构成滤波器的封闭盖板；与传统的滤波器形式相比，本发明提出的滤波器利用金属屏蔽盒已有结构形成滤波器的主体部分，滤波器“藏”在金属底板内部，而不需要安装在金属底板上表面或下表面的电路板上，此时电路板上可以安装其他器件，大大节省了滤波器的安装空间，使得滤波器结构紧凑，有利于实现收发组件的小型化。
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公开(公告)号：CN108461876A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810146835.6
申请日：2018-02-12
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于砷化镓工艺的介质集成波导滤波器，滤基于多模谐振腔研制而成，通过合理的设计多模谐振腔的尺寸可以使得电磁波在多模谐振腔内产生电磁相消现象，从而可以产生传输零点；通过采用改变腔体长宽比的技术手段，可以使得传输零点的位置变得可控，因而可以在滤波器在靠近通带的低端和高端分别设计一个传输零点，使得该滤波器具有高频率选择性；采用70um砷化镓工艺研制而成，两端均为GSG结构，该滤波器芯片可以与其他基于70um砷化镓工艺的W波段有源芯片集成；既可以采用芯片-芯片的直接互联形式，也可以直接将该滤波器和其它芯片集成在同一个芯片上。
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