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发明公开
一种Sillén-Aurivillius结构铋系半导体材料的制备及在光催化CO2环加成反应中的应用审中-实审

公开(公告)号：CN117816205A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311646999.2

申请日：2023-12-04

Applicant: 北京林业大学

Inventor： 李敏 , 李知恒 , 王强

IPC: B01J27/06 , B01J37/16 , B01J37/18 , B01J35/39 , B01J35/70 , C07D317/36

Abstract: 本发明属于光催化CO2环加成反应技术领域，具体涉及一种空位缺陷层状铋系半导体材料制备方法与光催化CO2环加成反应的应用。该材料在一种具有Sillén‑Aurivillius结构的铋系半导体材料基础上，通过对材料进行空位调控构建出缺陷位点，随着空位缺陷的产生暴露出的低价态金属离子可以作为Lewis酸位点吸附并活化环氧化物，同时该缺陷位点可以促进光生载流子的分离，从而增强表面反应动力学，有效提高材料的光催化活性，最终促进光催化CO2环加成反应性能。

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