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公开(公告)号：CN102103917B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200910243055.4
申请日：2009-12-22
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 有研稀土新材料股份有限公司
Abstract: 一种钕铁硼磁体、制备方法及应用该磁体的器件，属于磁性材料领域。本发明的磁体的成分通式为：R代表除Gd之外的稀土元素中的一种或两种，含量为27～35wt％；Gd的含量为0.55～2wt％，Co的含量为0.5～3.5wt％，M1代表过渡族金属Cu、Al、Ge中的一种元素，含量为0.05～0.5wt％，M2为除Co、M1外的过渡族元素的一种或两种，含量为0～0.5wt％，B为元素硼，含量为0.9～1.2wt％；余量为Fe及不可避免杂质；本发明磁体通过复合添加Gd、Co、M1及M2元素后，较好的提高了可逆磁感温度系数α及矫顽力温度系数β，且磁体矫顽力得到了大幅提高的同时保证磁能积和剩磁的不降低，有效利用重稀土元素Gd，提高性能的同时也很好的节约了制造成本。
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公开(公告)号：CN102103916A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910241946.6
申请日：2009-12-17
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 有研稀土新材料股份有限公司
Abstract: 一种钕铁硼磁体的制造方法，本发明磁体的成分通式为：R1R2FeMB，R1代表选自Nd、Pr、La、Ce、Sm、Sc、Y和Eu之中的至少一种元素，含量为23～35wt％；R2代表选自Tb、Dy、Gd、Ho之中的至少一种元素，含量为0.1～5wt％；M代表除Fe以外的过渡族金属，含量为0.01～5wt％；B为单质硼，含量为0.8～1.2wt％；余量为Fe及不可避免杂质。其制备步骤为：把金属R2中的一种或几种元素镀到磁体表面，然后通过一级高温热处理使所镀金属R2扩散到磁体内部，再通过二级低温回火消除高温处理带来的不平衡组织及内应力。其中镀膜所采用的方法为低温熔盐电沉积法。本发明的优点是：可以大大提高生产效率，降低磁体制备过程中重稀土用量，节约稀土资源，同时在不降低磁体剩磁和磁能积的情况下获得高矫顽力。
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公开(公告)号：CN101200806B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200610165134.4
申请日：2006-12-13
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 有研稀土新材料股份有限公司
Abstract: 一种熔盐电解制备钆铁合金的方法，以石墨坩埚作电解槽，石墨板为阳极，纯铁棒为自耗阴极，铁坩锅作为钆铁合金接受器，在GdF3-LiF二元氟化物熔盐电解质体系中，加入氧化钆，通以直流电电解得到钆铁合金，GdF3和LiF组成的熔盐体系，GdF3与LiF的用量重量百分比为(60～95)∶(40～5)；电解原料为氧化钆；阳极电流密度0.3～1.5A/cm2，阴极电流密度为5-25A/cm2；电解温度为900-1150℃。该方法工艺流程简单，电流效率高，金属收率高，产品质量稳定，污染小。由该方法制备的钆铁合金可作为制备新型NdFeB永磁材料的重要原料。
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公开(公告)号：CN101200806A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610165134.4
申请日：2006-12-13
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 有研稀土新材料股份有限公司
Abstract: 一种熔盐电解制备钆铁合金的方法，以石墨坩埚作电解槽，石墨板为阳极，纯铁棒为自耗阴极，铁坩锅作为钆铁合金接受器，在GdF3－LiF二元氟化物熔盐电解质体系中，加入氧化钆，通以直流电电解得到钆铁合金，GdF3和LiF组成的熔盐体系，GdF3与LiF的用量重量百分比为(60～95)∶(40～5)；电解原料为氧化钆；阳极电流密度0.3～1.5A/cm2，阴极电流密度为5－25A/cm2；电解温度为900－1150℃。该方法工艺流程简单，电流效率高，金属收率高，产品质量稳定，污染小。由该方法制备的钆铁合金可作为制备新型NdFeB永磁材料的重要原料。
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公开(公告)号：CN105803484B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201410854711.5
申请日：2014-12-31
Applicant: 有研稀土新材料股份有限公司 , 北京有色金属研究总院
IPC: C25C1/22
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 本发明提供了一种稀土金属的制备方法。该制备方法包括以下步骤：将稀土盐、离子液体和羟基醚类溶剂混合形成电解液，并将电解液置于电解槽中；对电解液进行电解以形成稀土金属；其中，羟基醚类溶剂的结构式为：其中，R1为氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基和叔丁基中的任一种；R2为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基和叔丁基中的任一种；n＝1‑10。该方法以羟基醚类溶剂为添加剂，利用其中的羟基助溶稀土盐，同时其中仅有一个羟基，大大降低了放气量，使电流不至于迅速下降，并使产物中的气孔率也大大降低。而且该方法不以固态物质为添加剂，缓解了溶解困难、步骤繁琐问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105803484A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410854711.5
申请日：2014-12-31
Applicant: 有研稀土新材料股份有限公司 , 北京有色金属研究总院
IPC: C25C1/22
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 本发明提供了一种稀土金属的制备方法。该制备方法包括以下步骤：将稀土盐、离子液体和羟基醚类溶剂混合形成电解液，并将电解液置于电解槽中；对电解液进行电解以形成稀土金属；其中，羟基醚类溶剂的结构式为：其中，R1为氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基和叔丁基中的任一种；R2为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基和叔丁基中的任一种；n＝1-10。该方法以羟基醚类溶剂为添加剂，利用其中的羟基助溶稀土盐，同时其中仅有一个羟基，大大降低了放气量，使电流不至于迅速下降，并使产物中的气孔率也大大降低。而且该方法不以固态物质为添加剂，缓解了溶解困难、步骤繁琐问题。
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公开(公告)号：CN102925931A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201110226043.8
申请日：2011-08-08
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 有研稀土新材料股份有限公司
Abstract: 一种侧插潜没式下阴极稀土熔盐电解槽，它包括：槽壳(10)、侧插阴极(1)、阴极导电排(2)、绝缘侧壁(3)、侧壁炉衬(4)、绝缘环(5)、金属导流板(6)、坩埚(7)、炉底(8)、阳极(9)，所述的阴极(1)一端与阴极导电排(2)连接并埋入侧壁炉衬、绝缘侧壁(3)中，且从侧壁炉衬(4)下部位置插入到电解槽炉膛中，侧插阴极(1)位于阳极(9)下方，相对于阳极(9)水平平行位置带一定夹角。电解槽以氟化物熔盐为电解质体系电解氧化物原料。本电解槽在电解过程中槽电压低于5V，电流效率可以达到80％以上，这种电解槽大型化和自动化后经济技术指标更为理想，较现有电解槽型具有显著的节能环保优势，非常适合大型化清洁生产。
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公开(公告)号：CN102560558A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010586959.X
申请日：2010-12-08
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 有研稀土新材料股份有限公司
Abstract: 一种液态下阴极稀土熔盐电解槽的阴极，包括钨内衬(1)，钼外壁(2)，截留板(3)，钼弯型堵头(4)，钼加厚板(5)，本发明适用于液态下阴极稀土熔盐电解槽，是钨钼复合结构带金属液面形成槽和电流引出结构的阴极，这种结构的阴极可以形成一定的金属液面，能良好的导电，能很好的将阴极固定在电解槽底部，结构牢固不容易损坏，因此可很好的实现下阴极结构形式的稀土金属电解。
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公开(公告)号：CN101560628A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200810104241.5
申请日：2008-04-17
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 有研稀土新材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于生产高性能稀土永磁性材料的稀土铁合金及其制备工艺，该合金组成中钕或镨钕稀土含量为30～90wt％，余量是铁以及总量小于1wt％的不可避免杂质，其O含量≤0.1wt％，C含量≤0.1wt％，N含量≤0.05wt％。该合金由氟化物熔盐体系氧化物电解法制备，其电解质由氟化稀土和氟化锂构成。
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公开(公告)号：CN1324720C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN01141853.2
申请日：2001-09-20
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种制备钙钛矿型稀土锰氧化物巨磁电阻材料的工艺及其产品用途。属于材料制造、传感及磁存储技术领域。本发明的巨磁电阻材料化学式为RE1-xTxDO3±y，其中RE＝La，Nd，Sm，Pr，Ce，Eu，Er，T＝Ca，Sr，Ba，Pb，K，D＝Mn，Fe，Cr，Ni。将相应的氧化物和碳酸盐按化学计量比混合均匀，压制成形，800～1000℃烧结3～10小时，然后在1300℃～1600℃高温烧结10～50小时，经过后续热处理最终制备出巨磁电阻材料。本工艺操作简单，重复性好，效率高，成本低，有利于产业化推广。该氧化物巨磁电阻材料克服了普通氧化物巨磁电阻材料只有在低温下才显示巨磁电阻效应的不足，在室温附近，具有62%的磁电阻变化率，适合制备高性能的传感器、磁存储设备等。
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