公开(公告)号：CN101550495B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200810103291.1

申请日：2008-04-02

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 王忠 ,  成艳 ,  褚颖 ,  朱磊 ,  简旭宇 ,  陈晖 ,  尉海军 ,  蒋利军

IPC: C22C1/05 ,  C22C28/00

Abstract: 本发明涉及一种硅锗合金材料的制备方法，包括：(1)先将硅、锗及其它掺杂物捣碎、磨细作为原料，或直接选用商品硅、锗及其掺杂物细粉作为原料；(2)将硅粉和锗粉中的其中一种与掺杂物粉体充分混合均匀，压片后，在保护性气氛中，进行熔炼处理；(3)将经熔炼得到的含有掺杂物的硅或锗块体制成细粉后与未加掺杂物的硅粉和锗粉中的另一种粉体充分混合均匀，压片后，在保护性气氛中，在接近硅锗合金固相点的温度下，进行固相反应，得到硅锗合金。本发明提供了一种可以得到成分均匀、无偏析或少偏析的硅锗合金合成工艺。具有制备工艺简单，工艺参数容易控制，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN101550495A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200810103291.1

申请日：2008-04-02

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 王忠 ,  成艳 ,  褚颖 ,  朱磊 ,  简旭宇 ,  陈晖 ,  尉海军 ,  蒋利军

IPC: C22C1/05 ,  C22C28/00

Abstract: 本发明涉及一种硅锗合金材料的制备方法，包括：(1)先将硅、锗及其它掺杂物捣碎、磨细作为原料，或直接选用商品硅、锗及其掺杂物细粉作为原料；(2)将硅粉和锗粉中的其中一种与掺杂物粉体充分混合均匀，压片后，在保护性气氛中，进行熔炼处理；(3)将经熔炼得到的含有掺杂物的硅或锗块体制成细粉后与未加掺杂物的硅粉和锗粉中的另一种粉体充分混合均匀，压片后，在保护性气氛中，在接近硅锗合金固相点的温度下，进行固相反应，得到硅锗合金。本发明提供了一种可以得到成分均匀、无偏析或少偏析的硅锗合金合成工艺。具有制备工艺简单，工艺参数容易控制，具有良好的应用前景。